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ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

STW70N60DM2

STW70N60DM2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW70N60DM2
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW70N60DM2封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)66A功率(Pd)446W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)42mΩ@10V,33A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)121nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.508nF@100V工作…
  • PDF STW70N60DM2.pdf
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STD10P6F6

STD10P6F6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD10P6F6
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD10P6F6封装DPAK类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)10A功率(Pd)35W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@10V,5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)6.4nC@10V输入电容(Ciss@Vds)340pF@48V
  • PDF STD10P6F6.pdf
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STF26NM60N

STF26NM60N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF26NM60N
  • PaqueteTO-220F
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF26NM60N封装TO-220F类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)35W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)165mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.8nF@50V
  • PDF STF26NM60N.pdf
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IRF630

IRF630-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloIRF630
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号IRF630封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)75W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)400mΩ@10V,4.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)45nC@10V输入电容(Ciss@Vds)700pF@25V工作温度-65℃~+…
  • PDF IRF630.pdf
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STW9NK90Z

STW9NK90Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW9NK90Z
  • PaqueteTO-247AC-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW9NK90Z封装TO-247AC-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)160W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.3Ω@10V,3.6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
  • PDF STW9NK90Z.pdf
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STF6N95K5

STF6N95K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF6N95K5
  • PaqueteTO-220FPAB-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF6N95K5封装TO-220FPAB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.25Ω@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)450pF@100V工作温度…
  • PDF STF6N95K5.pdf
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STW20NM60

STW20NM60-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW20NM60
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW20NM60封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)192W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)290mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)54nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@25V
  • PDF STW20NM60.pdf
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STW20NM60

STW20NM60-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW20NM60
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW20NM60封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)192W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)290mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)54nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@25V
  • PDF STW20NM60.pdf
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STN1NK60Z

STN1NK60Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTN1NK60Z
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN1NK60Z封装SOT-223类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)300mA功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15Ω@400mA,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)6.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)94pF@25V反向传输…
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STN1NK80Z

STN1NK80Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTN1NK80Z
  • PaqueteSOT-223-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN1NK80Z封装SOT-223-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)250mA功率(Pd)2.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16Ω@10V,500mA阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)7.7nC@10V输入电容(Ciss@Vds)160pF@25V工作…
  • PDF STN1NK80Z.pdf
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STD100N10F7

STD100N10F7-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD100N10F7
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD100N10F7封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)120W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)61nC@10V输入电容(Ciss@Vds)4.369nF@50V工作温度-…
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STD10NF10T4

STD10NF10T4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD10NF10T4
  • PaqueteTO-252-2(DPAK)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD10NF10T4封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)13A功率(Pd)50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)130mΩ@10V,5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)21nC@10V输入电容(Ciss@Vds)460pF@25V工作…
  • PDF STD10NF10T4.pdf
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STF13N60M2

STF13N60M2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF13N60M2
  • PaqueteTO-220FPAB-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF13N60M2封装TO-220FPAB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)580pF@100V工作…
  • PDF STF13N60M2.pdf
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STB55NF06T4

STB55NF06T4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTB55NF06T4
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB55NF06T4封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)50A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF@25V工作温度-5…
  • PDF STB55NF06T4.pdf
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STP110N7F6

STP110N7F6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP110N7F6
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP110N7F6封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)68V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)176W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.5mΩ@10V,55A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)100nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.85nF@25V反向传输…
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STP5NK52ZD

STP5NK52ZD-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP5NK52ZD
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP5NK52ZD封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)520V连续漏极电流(Id)4.4A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.22Ω@10V,2.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)16.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)529pF@25V反向传…
  • PDF STP5NK52ZD.pdf
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STD13NM60N

STD13NM60N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD13NM60N
  • PaqueteTO-252-2(DPAK)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD13NM60N封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)360mΩ@5.5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@10V输入电容(Ciss@Vds)790pF@50V
  • PDF STD13NM60N.pdf
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STD20NF06LT4

STD20NF06LT4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD20NF06LT4
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD20NF06LT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)24A功率(Pd)60W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,12A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)660pF@25V工作温度-55…
  • PDF STD20NF06LT4.pdf
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STD110N8F6

STD110N8F6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD110N8F6
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD110N8F6封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)80V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)167W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.5mΩ@40A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@10V输入电容(Ciss@Vds)9.13nF@40V反向传输电…
  • PDF STD110N8F6.pdf
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STP90NF03L

STP90NF03L-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP90NF03L
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP90NF03L封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)90A功率(Pd)150W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.5mΩ@10V,45A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)47nC@5V输入电容(Ciss@Vds)2.7nF@25V工作温度-6…
  • PDF STP90NF03L.pdf
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