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ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

STB120NF10T4

STB120NF10T4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTB120NF10T4
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB120NF10T4封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)312W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.5mΩ@10V,60A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)233nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.2nF@25V工作温…
  • PDF STB120NF10T4.pdf
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STB10N95K5

STB10N95K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTB10N95K5
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB10N95K5封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)130W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)800mΩ@4A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)630pF@100V工作温度-55℃…
  • PDF STB10N95K5.pdf
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STW15N95K5

STW15N95K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW15N95K5
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW15N95K5封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)170W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)410mΩ@10V,6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@10V输入电容(Ciss@Vds)855pF@100V反向传输…
  • PDF STW15N95K5.pdf
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STF13N65M2

STF13N65M2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF13N65M2
  • PaqueteTO-220FP
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF13N65M2封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)10A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)430mΩ@5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)590pF@100V反向传输电…
  • PDF STF13N65M2.pdf
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STL3NM60N

STL3NM60N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTL3NM60N
  • PaquetePowerFLAT-8(3.3x3.3)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL3NM60N封装 PowerFLAT-8(3.3x3.3)FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)650mA（Ta），2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（…
  • PDF STL3NM60N.pdf
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STP11N65M5

STP11N65M5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP11N65M5
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP11N65M5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)85W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)480mΩ@4.5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)644pF@100V反向传输电…
  • PDF STP11N65M5.pdf
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STP80N240K6

STP80N240K6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP80N240K6
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80N240K6封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)16A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)220mΩ@7A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)25.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.35nF@100V工作温…
  • PDF STP80N240K6.pdf
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STD3NK100Z

STD3NK100Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD3NK100Z
  • PaqueteTO-252-2(DPAK)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NK100Z封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1kV连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@10V,1.25A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@10V输入电容(Ciss@Vds)601pF@25V工作…
  • PDF STD3NK100Z.pdf
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STP14NM50N

STP14NM50N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP14NM50N
  • PaqueteTO-220AB-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP14NM50N封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)320mΩ@10V,6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)27nC@10V输入电容(Ciss@Vds)816pF@50V工作温度…
  • PDF STP14NM50N.pdf
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STP3NK80Z

STP3NK80Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP3NK80Z
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP3NK80Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5Ω@1.25A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V输入电容(Ciss@Vds)485pF@25V反向传输电…
  • PDF STP3NK80Z.pdf
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STP20NK50Z

STP20NK50Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP20NK50Z
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20NK50Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)270mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
  • PDF STP20NK50Z.pdf
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STP55NF06L

STP55NF06L-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP55NF06L
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP55NF06L封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)55A功率(Pd)95W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)1.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)37nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)1.7nF@25V工作温度…
  • PDF STP55NF06L.pdf
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STP20N90K5

STP20N90K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP20N90K5
  • PaqueteTO-220-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20N90K5封装TO-220-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)40nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@100V工作温度…
  • PDF STP20N90K5.pdf
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STP15N80K5

STP15N80K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP15N80K5
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP15N80K5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)14A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)375mΩ@7A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100V反向传输电…
  • PDF STP15N80K5.pdf
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STP80NF06

STP80NF06-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP80NF06
  • PaqueteTO-220AB-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80NF06封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.85nF@25V
  • PDF STP80NF06.pdf
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STB13N60M2

STB13N60M2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTB13N60M2
  • PaqueteTO-263-2
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB13N60M2封装TO-263-2类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)580pF@100V工作温…
  • PDF STB13N60M2.pdf
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STD36P4LLF6

STD36P4LLF6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD36P4LLF6
  • PaqueteTO-252-2(DPAK)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD36P4LLF6封装TO-252-2(DPAK)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)36A功率(Pd)60W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20.5mΩ@10V,18A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.85nF@2…
  • PDF STD36P4LLF6.pdf
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STD3NM60N

STD3NM60N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD3NM60N
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NM60N封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)3.3A功率(Pd)50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.6Ω@10V,1.65A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)9.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)188pF@50V反向传输电容…
  • PDF STD3NM60N.pdf
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STD36P4LLF6

STD36P4LLF6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD36P4LLF6
  • PaqueteTO-252-2(DPAK)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD36P4LLF6封装TO-252-2(DPAK)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)36A功率(Pd)60W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20.5mΩ@10V,18A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.85nF@2…
  • PDF STD36P4LLF6.pdf
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STP11NK40ZFP

STP11NK40ZFP-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP11NK40ZFP
  • PaqueteTO-220F-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP11NK40ZFP封装 TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)400V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)550mΩ@10V,4.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
  • PDF STP11NK40ZFP.pdf
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