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ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

STB15N80K5

STB15N80K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTB15N80K5
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB15N80K5封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)14A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)300mΩ@10V,7A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100v反向传输电容…
  • PDF STB15N80K5.pdf
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STD120N4F6

STD120N4F6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD120N4F6
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD120N4F6封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4mΩ@40A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)65nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.85nF@25V工作温度-55℃~…
  • PDF STD120N4F6.pdf
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STN4NF06L

STN4NF06L-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTN4NF06L
  • PaqueteTO-261-4
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN4NF06L封装TO-261-4类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@1.5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)2.8V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)9nC@5V输入电容(Ciss@Vds)340pF@25V工作温度-5…
  • PDF STN4NF06L.pdf
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STP150N10F7

STP150N10F7-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP150N10F7
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP150N10F7封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.2mΩ@10V,55A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)117nC@10V输入电容(Ciss@Vds)8.115nF@50V工作…
  • PDF STP150N10F7.pdf
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STP40NF10

STP40NF10-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP40NF10
  • PaqueteTO-220AB-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP40NF10封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)50A功率(Pd)150W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V,25A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)62nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.18nF@25V反向传输…
  • PDF STP40NF10.pdf
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STW11NM80

STW11NM80-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW11NM80
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW11NM80封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)150W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)350mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)43.6nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.63nF@25V反向传…
  • PDF STW11NM80.pdf
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STP100N10F7

STP100N10F7-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP100N10F7
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP100N10F7封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)150W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@40A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)61nC@10V输入电容(Ciss@Vds)4.369nF@50V工作温…
  • PDF STP100N10F7.pdf
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STF22NM60N

STF22NM60N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF22NM60N
  • PaqueteTO-220F-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF22NM60N封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)16A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)220mΩ@10V,8A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA
  • PDF STF22NM60N.pdf
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STD25NF20

STD25NF20-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD25NF20
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD25NF20封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200V连续漏极电流(Id)18A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)125mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)39nC@10V输入电容(Ciss@Vds)940pF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STD25NF20.pdf
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STL40DN3LLH5

STL40DN3LLH5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTL40DN3LLH5
  • PaquetePowerFLAT-5x6-8
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL40DN3LLH5封装PowerFLAT-5x6-8配置2 N-通道（双）FET 功能-漏源电压（Vdss）30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）18 毫欧 @ 5.5A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.5V @ 250µA不同 Vg…
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STD3NK60ZT4

STD3NK60ZT4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD3NK60ZT4
  • PaqueteTO-252-2
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NK60ZT4封装TO-252-2类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)2.4A功率(Pd)45W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.6Ω@10V,1.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA
  • PDF STD3NK60ZT4.pdf
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STD10P10F6

STD10P10F6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD10P10F6
  • PaqueteTO-252-2
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD10P10F6封装TO-252-2FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）100 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）180 毫欧 @ 5A，10V…
  • PDF STD10P10F6.pdf
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STD4N80K5

STD4N80K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD4N80K5
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD4N80K5封装TO-252类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)3A功率(Pd)60W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.5Ω@10V,1.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)10.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)175pF@100V工作温度-5…
  • PDF STD4N80K5.pdf
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STW48N60DM2

STW48N60DM2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW48N60DM2
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW48N60DM2封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)40A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)79mΩ@10V,20A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)70nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.25nF@100V工作温…
  • PDF STW48N60DM2.pdf
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STS5NF60L

STS5NF60L-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTS5NF60L
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STS5NF60L封装SO-8类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)5A功率(Pd)2.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@10V,2.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@5V输入电容(Ciss@Vds)1.25nF@25V
  • PDF STS5NF60L.pdf
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STB120NF10T4

STB120NF10T4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTB120NF10T4
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB120NF10T4封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)312W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.5mΩ@10V,60A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)233nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.2nF@25V工作温…
  • PDF STB120NF10T4.pdf
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STH240N10F7-6

STH240N10F7-6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTH240N10F7-6
  • PaqueteTO-263-6
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STH240N10F7-6封装TO-263-6类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)180A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.5mΩ@60A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)160nC@10V输入电容(Ciss@Vds)11.55nF@25…
  • PDF STH240N10F7-6.pdf
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STD4NK80ZT4

STD4NK80ZT4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD4NK80ZT4
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD4NK80ZT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)3A功率(Pd)80W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@10V,1.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)22.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)575pF@25V工作温度-5…
  • PDF STD4NK80ZT4.pdf
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STB10N95K5

STB10N95K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTB10N95K5
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB10N95K5封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)130W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)800mΩ@4A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)630pF@100V工作温度-55℃…
  • PDF STB10N95K5.pdf
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STP11N65M5

STP11N65M5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP11N65M5
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP11N65M5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)85W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)480mΩ@4.5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)644pF@100V反向传输电…
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