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ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

STW48N60M2

STW48N60M2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW48N60M2
  • PaqueteTO-247AC-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW48N60M2封装TO-247AC-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)42A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)70mΩ@10V,21A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • PDF STW48N60M2.pdf
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STP43N60DM2

STP43N60DM2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP43N60DM2
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP43N60DM2封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)34A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)93mΩ@10V,17A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)56nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.5nF@100V工作温度-…
  • PDF STP43N60DM2.pdf
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STP18N60M2

STP18N60M2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP18N60M2
  • PaqueteTO-220-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP18N60M2封装TO-220-3FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）280 毫欧 @ 6.5A，1…
  • PDF STP18N60M2.pdf
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STB60NF06LT4

STB60NF06LT4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTB60NF06LT4
  • PaqueteTO-263-2
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB60NF06LT4封装TO-263-2类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)60A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,30A阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)66nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2nF@25V工作温度-…
  • PDF STB60NF06LT4.pdf
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STT6N3LLH6

STT6N3LLH6-ST(意法半导体)

  • TipoCristal pasivo
  • ModeloSTT6N3LLH6
  • PaqueteSOT-23-6L
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STT6N3LLH6封装SOT-23-6L类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)6A功率(Pd)1.6W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)3.6nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)283pF@24V
  • PDF STT6N3LLH6.pdf
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STF9NK90Z

STF9NK90Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF9NK90Z
  • PaqueteTO-220F-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF9NK90Z封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)40W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.3Ω@10V,3.6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
  • PDF STF9NK90Z.pdf
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STD8N60DM2

STD8N60DM2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD8N60DM2
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD8N60DM2封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)85W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)600mΩ@10V,4A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)13.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)375pF@100V
  • PDF STD8N60DM2.pdf
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STB35N65DM2

STB35N65DM2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTB35N65DM2
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB35N65DM2封装D2PAKFET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）650 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）110 毫欧 @ 14A，10V不…
  • PDF STB35N65DM2.pdf
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STP30NF10

STP30NF10-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP30NF10
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP30NF10封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)35A功率(Pd)115W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45Ω@10V,15A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)55nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.18nF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP30NF10.pdf
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STW3N150

STW3N150-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW3N150
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW3N150封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.5kV连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9Ω@10V,1.3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STW3N150.pdf
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STD2LN60K3STD2LN60K3

STD2LN60K3STD2LN60K3-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD2LN60K3STD2LN60K3
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD2LN60K3封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)2A功率(Pd)45W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5Ω@1A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V输入电容(Ciss@Vds)235pF@50V反向传输电容(Cr…
  • PDF STD2LN60K3STD2LN60K3.pdf
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STF24N60DM2

STF24N60DM2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF24N60DM2
  • PaqueteTO-220F-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF24N60DM2封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)18A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)200mΩ@10V,9A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
  • PDF STF24N60DM2.pdf
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STD11N65M5

STD11N65M5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD11N65M5
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD11N65M5封装TO-252类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)85W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)480mΩ@10V,4.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)620pF@100V
  • PDF STD11N65M5.pdf
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STP5NK100Z

STP5NK100Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP5NK100Z
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP5NK100Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1kV连续漏极电流(Id)3.5A功率(Pd)125W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.7Ω@1.75A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)59nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.154nF@25V反向传…
  • PDF STP5NK100Z.pdf
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STD5N52U

STD5N52U-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD5N52U
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD5N52U封装TO-252类型1个N沟道漏源电压(Vdss)525V连续漏极电流(Id)4.4A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5Ω@10V,2.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)16.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)529pF@25V工作温度-…
  • PDF STD5N52U.pdf
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STF15NM65N

STF15NM65N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF15NM65N
  • PaqueteTO-220F-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF15NM65N封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)380mΩ@10V,6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • PDF STF15NM65N.pdf
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STW6N95K5

STW6N95K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW6N95K5
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW6N95K5封装TO-247-3漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1Ω@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)450pF@100V反向传输电容(Crss@Vds)1.6p…
  • PDF STW6N95K5.pdf
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STO36N60M6

STO36N60M6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTO36N60M6
  • PaqueteTOLL
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STO36N60M6封装TOLL类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)30A功率(Pd)230W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)99mΩ@15A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.75V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)44.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.96nF@100V工作温…
  • PDF STO36N60M6.pdf
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STL26NM60N

STL26NM60N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTL26NM60N
  • PaqueteSMD
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL26NM60N封装SMD类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)2.7A；19A功率(Pd)125mW；3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.8nF@50V反…
  • PDF STL26NM60N.pdf
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STP100N8F6

STP100N8F6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP100N8F6
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP100N8F6封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)80V连续漏极电流(Id)100A功率(Pd)176W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V,50A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)100nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.955nF@25V反向传输电…
  • PDF STP100N8F6.pdf
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