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ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

STFW3N150

STFW3N150-ST(意法半导体)

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STL90N10F7

STL90N10F7-ST(意法半导体)

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STP75NF75

STP75NF75-ST(意法半导体)

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STP110N8F6

STP110N8F6-ST(意法半导体)

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STW26NM60N

STW26NM60N-ST(意法半导体)

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STN3NF06L

STN3NF06L-ST(意法半导体)

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STW33N60M2

STW33N60M2-ST(意法半导体)

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STP26NM60N

STP26NM60N-ST(意法半导体)

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STN4NF20L

STN4NF20L-ST(意法半导体)

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STB24N60DM2

STB24N60DM2-ST(意法半导体)

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STL130N6F7

STL130N6F7-ST(意法半导体)

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STN2NF10

STN2NF10-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTN2NF10
  • PaqueteSOT-223-4
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN2NF10封装SOT-223-4类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)2.4A功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)260mΩ@10V,1.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V输入电容(Ciss@Vds)280pF@25V工作温度…
  • PDF STN2NF10.pdf
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STD6N95K5

STD6N95K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD6N95K5
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD6N95K5封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.25Ω@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)450pF@100V工作温度-55℃~+…
  • PDF STD6N95K5.pdf
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STF14N80K5

STF14N80K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF14N80K5
  • PaqueteTO-220FP
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF14N80K5封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)445mΩ@6A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)620pF@100V工作温度-…
  • PDF STF14N80K5.pdf
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STD35P6LLF6

STD35P6LLF6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD35P6LLF6
  • PaqueteTO-252-2(DPAK)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD35P6LLF6封装TO-252-2(DPAK)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)35A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,17.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)3.78nF@2…
  • PDF STD35P6LLF6.pdf
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STD17NF03LT4

STD17NF03LT4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD17NF03LT4
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD17NF03LT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)6.5nC@5V输入电容(Ciss@Vds)320pF@25V工作温度-5…
  • PDF STD17NF03LT4.pdf
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STD17NF03LT4

STD17NF03LT4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD17NF03LT4
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD17NF03LT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)6.5nC@5V输入电容(Ciss@Vds)320pF@25V工作温度-5…
  • PDF STD17NF03LT4.pdf
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STH3N150-2

STH3N150-2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTH3N150-2
  • PaqueteH2PAK-2
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STH3N150-2封装H2PAK-2类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.5kV连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9Ω@10V,1.3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STH3N150-2.pdf
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STN4NF03L

STN4NF03L-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTN4NF03L
  • PaqueteSOT-223-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN4NF03L封装SOT-223-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)6.5A功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,2A阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)330pF@25V工作温度-55…
  • PDF STN4NF03L.pdf
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STD13N60M2

STD13N60M2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD13N60M2
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD13N60M2封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)580pF@100V工作温度-5…
  • PDF STD13N60M2.pdf
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