О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP02T10T

NCEP02T10T-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP02T10T
  • КорпусTO-247-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение - ток 100A мощность (Pd)  300W канал Nсопротивление в открытом состоянии 12mΩ @ VGS=10V корпус TO-247-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02T10T
  • PDF NCEP02T10T.pdf
NCE65T130F

NCE65T130F-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE65T130F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650 V пороговое напряжение - ток 28 A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 110 mΩ корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T130F
  • PDF NCE65T130F.pdf
NCE0130A

NCE0130A-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE0130A
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 30A мощность (Pd)  85W канал Nсопротивление в открытом состоянии 32mΩ @ VGS=10V (Typ:25mΩ) корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0130A
  • PDF NCE0130A.pdf
NCE0140AK2

NCE0140AK2-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE0140AK2
  • КорпусTO-252-2L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 40A мощность (Pd)  140W канал Nсопротивление в открытом состоянии 17mΩ @ VGS=10V (Typ:14mΩ) корпус TO-252-2L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0140AK2
  • PDF NCE0140AK2.pdf
NCE6080AK

NCE6080AK-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE6080AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение - ток 80A мощность (Pd)  110W канал Nсопротивление в открытом состоянии 5.5mΩ (typical) @ VGS=10V корпус  TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6080AK
  • PDF NCE6080AK.pdf
NCE3080IA

NCE3080IA-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE3080IA
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1.4V@250uA ток 80A мощность (Pd)  83W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,30A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3080IA
  • PDF NCE3080IA.pdf
NCE65T900F

NCE65T900F-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE65T900F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 5A мощность (Pd)  29W канал N сопротивление в открытом состоянии 750mΩ@10V,2.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T900F
  • PDF NCE65T900F.pdf
NCE6075

NCE6075-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE6075
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 4V@250uA ток 75A мощность (Pd)  110W канал Nсопротивление в открытом состоянии 11.5mΩ@10V,30A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6075
  • PDF NCE6075.pdf
NCE55P30F

NCE55P30F-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE55P30F
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 -55V пороговое напряжение - ток -55V мощность (Pd)  30W канал Pсопротивление в открытом состоянии 40mΩ @ VGS=-10V корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P30F
  • PDF NCE55P30F.pdf
NCE70T900I

NCE70T900I-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE70T900I
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение 4V@250uA ток 5A мощность (Pd)  46W канал N сопротивление в открытом состоянии 820mΩ@10V,2.5A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T900I
  • PDF NCE70T900I.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 9293949596979899...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd