О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE70T680F

NCE70T680F-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE70T680F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение 4V@250uA ток 7A мощность (Pd)  31.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии 680mΩ@10V,3.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T680F
  • PDF NCE70T680F.pdf
Консультация
NCE0117I

NCE0117I-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE0117I
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 17A мощность (Pd)  55W канал Nсопротивление в открытом состоянии 56mΩ@10V,5A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0117I
  • PDF NCE0117I.pdf
Консультация
NCE0125AI

NCE0125AI-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE0125AI
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 25A мощность (Pd)  70W канал Nсопротивление в открытом состоянии 36mΩ @ VGS=10V (Typ:31 mΩ) корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0125AI
  • PDF NCE0125AI.pdf
Консультация
NCE30H14K

NCE30H14K-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE30H14K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 140A мощность (Pd)  130W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.5mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H14K
  • PDF NCE30H14K.pdf
Консультация
NCEP85T15

NCEP85T15-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP85T15
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 85V пороговое напряжение 3.2V@250uA ток 150A мощность (Pd)  210W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.2mΩ@10V,75A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP85T15
  • PDF NCEP85T15.pdf
Консультация
NCE65T1K2I

NCE65T1K2I-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE65T1K2I
  • КорпусTO-251(IPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  41W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.1Ω@10V,2A корпус TO-251(IPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T1K2I
  • PDF NCE65T1K2I.pdf
Консультация
NCE20P10J

NCE20P10J-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE20P10J
  • КорпусDFN2x2-6L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 -20V пороговое напряжение - ток -10A мощность (Pd)  3.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии 32mΩ @ VGS=-2.5V корпус DFN2x2-6L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE20P10J
  • PDF NCE20P10J.pdf
Консультация
NCE60P05N

NCE60P05N-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE60P05N
  • КорпусSOT-23-6L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 -60V пороговое напряжение - ток -5A мощность (Pd)  3.1W канал P сопротивление в открытом состоянии 65mΩ @ VGS=-10V корпус SOT-23-6L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P05N
  • PDF NCE60P05N.pdf
Консультация
NCE65T680F

NCE65T680F-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE65T680F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 7A мощность (Pd)  31.4W канал N сопротивление в открытом состоянии 600mΩ@10V,3.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T680F
  • PDF NCE65T680F.pdf
Консультация
NCEP026N10T

NCEP026N10T-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP026N10T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V пороговое напряжение - ток 230A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.15mΩ , typical@ VGS=10V корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP026N10T
  • PDF NCEP026N10T.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 8889909192939495...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd