Описание 耐压 120V пороговое напряжение - ток 150A мощность (Pd) 245W канал Nсопротивление в открытом состоянии 3.3mΩ корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP040N12D
Описание耐压 120V пороговое напряжение - ток 255A мощность (Pd) 400W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.85mΩ , typical@ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP025N12LL
Описание耐压 700 V пороговое напряжение - ток 4 A мощность (Pd) 28.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1100 mΩ корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T1K2F
Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 40A мощность (Pd) 140W канал Nсопротивление в открытом состоянии 15mΩ @ VGS=10V корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0140I2
Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 650V ток - коллектор (Ic) 120A ток - коллектор 脉冲 (Icm) 240A мощность 319W заряд затвора 262nC время обратного восстановления (trr) 458ns различные Vge、Ic 时 Vce(on) - корпус TO-247 IGBT-транзистор /модуль бренд NCE артикул NCE60TD65BT
Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 60A ток - коллектор 脉冲 (Icm) 90A мощность 190W заряд затвора 132nC время обратного восстановления (trr) 19ns различные Vge、Ic 时 Vce(on) - корпус TO-220 IGBT-транзистор /модуль бренд NCE артикул NCE30TD60B
Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 160A ток - коллектор 脉冲 (Icm) 240A мощность 390W заряд затвора 331nC время обратного восстановления (trr) 194ns различные Vge、Ic 时 Vce(on) - корпус TO-247AC-3 IGBT-транзистор /модуль бренд NCE артикул NCE80TD60BT