О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE65TF180T

NCE65TF180T-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE65TF180T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 21A мощность (Pd)  188W канал N сопротивление в открытом состоянии 160mΩ@10V,10.5A корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF180T
  • PDF NCE65TF180T.pdf
Консультация
NCE30D0808J

NCE30D0808J-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE30D0808J
  • КорпусDFN-6-EP(2x2)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток 7.7A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 25mΩ @ VGS=10V корпус DFN-6-EP(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30D0808J
  • PDF NCE30D0808J.pdf
Консультация
NCEP85T14

NCEP85T14-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP85T14
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 85V пороговое напряжение 4V@250uA ток 140A мощность (Pd)  200W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.1mΩ@10V,70A корпус  TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP85T14
  • PDF NCEP85T14.pdf
Консультация
NCEP12T12D

NCEP12T12D-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP12T12D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 120V пороговое напряжение - ток 129A мощность (Pd)  185W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.3mΩ @ VGS=10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP12T12D
  • PDF NCEP12T12D.pdf
Консультация
NCEP01T11

NCEP01T11-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP01T11
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 108A мощность (Pd)  160W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,50A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP01T11
  • PDF NCEP01T11.pdf
Консультация
NCE30H15

NCE30H15-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE30H15
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 150A мощность (Pd)  130W канал N сопротивление в открытом состоянии 3mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H15
  • PDF NCE30H15.pdf
Консультация
NCE30ND09S

NCE30ND09S-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE30ND09S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток 9A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 12mΩ @ VGS=10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30ND09S
  • PDF NCE30ND09S.pdf
Консультация
NCEP015N30GU

NCEP015N30GU-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP015N30GU
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение - ток 170A мощность (Pd)  95W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.3mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP015N30GU
  • PDF NCEP015N30GU.pdf
Консультация
NCE30H10AK

NCE30H10AK-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE30H10AK
  • КорпусTO-252-2L
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение - ток 100A мощность (Pd)  110W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4.5mΩ @ VGS=10V (Typ:3.2mΩ) корпус TO-252-2L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H10AK
  • PDF NCE30H10AK.pdf
Консультация
NCEP02580

NCEP02580-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP02580
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 250V пороговое напряжение - ток 80A мощность (Pd)  300W канал Nсопротивление в открытом состоянии 18.5mΩ @ VGS=10V корпус  TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02580
  • PDF NCEP02580.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 8788899091929394...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd