О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE65T360D

NCE65T360D-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE65T360D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 11.5A мощность (Pd)  101W канал N сопротивление в открытом состоянии 290mΩ@10V,7A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T360D
  • PDF NCE65T360D.pdf
Консультация
NCE65T1K2K

NCE65T1K2K-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE65T1K2K
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 710V пороговое напряжение - ток 45 A мощность (Pd)  400W канал N сопротивление в открытом состоянии 62 mΩ корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF078T
  • PDF NCE65T1K2K.pdf
Консультация
NCE3025Q

NCE3025Q-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE3025Q
  • КорпусPDFN-8(3.1x3.2)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 25A мощность (Pd)  25W канал N сопротивление в открытом состоянии 10mΩ@10V,10A корпус PDFN-8(3.1x3.2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3025Q
  • PDF NCE3025Q.pdf
Консультация
NCE55P04S

NCE55P04S-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE55P04S
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 55V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 4A мощность (Pd)  3W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии 82mΩ@10V,4A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P04S
  • PDF NCE55P04S.pdf
Консультация
NCE30ND07S

NCE30ND07S-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE30ND07S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 7A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 23mΩ @ VGS=10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30ND07S
  • PDF NCE30ND07S.pdf
Консультация
NCEP033N10

NCEP033N10-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP033N10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 160A мощность (Pd)  245W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.9mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP033N10
  • PDF NCEP033N10.pdf
Консультация
NCEP40T20ALL

NCEP40T20ALL-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP40T20ALL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 3V@250uA ток 250A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.2mΩ@10V,100A корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T20ALL
  • PDF NCEP40T20ALL.pdf
Консультация
NCEP026N10D

NCEP026N10D-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP026N10D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 200A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.4mΩ , typical (TO-220)@VGS=10V корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP026N10D
  • PDF NCEP026N10D.pdf
Консультация
NCEP40T15A

NCEP40T15A-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP40T15A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.7V@250uA ток 150A мощность (Pd)  210W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.75mΩ@10V,75A корпус  TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T15A
  • PDF NCEP40T15A.pdf
Консультация
NCE3008Y

NCE3008Y-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE3008Y
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 8A мощность (Pd)  1.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 17mΩ @ VGS=10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3008Y
  • PDF NCE3008Y.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 8384858687888990...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd