О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
BT40T120CKFH

BT40T120CKFH-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBT40T120CKFH
  • КорпусTO-247-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 1200V 电流 - коллектор (Ic) 40A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 160A 功率 278W заряд затвора 239nCвремя обратного восстановления (trr) 80ns 不同 Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-247-3 IGBT-транзистор /模块 品牌 CR Huajing 型号 BT40T120CKFH
  • PDF BT40T120CKFH.pdf
BT15T60A9F

BT15T60A9F-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBT15T60A9F
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - коллектор (Ic) 15A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 45A 功率 278W заряд затвора 59nCвремя обратного восстановления (trr) 47ns 不同 Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-220F-3 IGBT-транзистор /模块 品牌 CR Huajing 型号 BT15T60A9F
  • PDF BT15T60A9F.pdf
BT15T60A8F

BT15T60A8F-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBT15T60A8F
  • КорпусTO-220AB-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - коллектор (Ic) 15A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 45A 功率 278W заряд затвора 59nC время обратного восстановления (trr) 47ns 不同 Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-220AB-3 IGBT-транзистор /模块 品牌 CR Huajing 型号 BT15T60A8F
  • PDF BT15T60A8F.pdf
BT15T120CNR

BT15T120CNR-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBT15T120CNR
  • КорпусTO-3PN
  • Производитель华润华晶
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 1200V 电流 - коллектор (Ic) 15A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 45A 功率 156W заряд затвора 81.5nCвремя обратного восстановления (trr) - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on) typ =1.95V@ IC =15A 封装 TO-3PN IGBT-транзистор /模块 品牌 CR Huajing 型号 BT15T120CNR
  • PDF BT15T120CNR.pdf
LX2302S

LX2302S-CHIPLINK

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельLX2302S
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительCHIPLINK
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение - 电流 2.3A 功率(Pd)  0.7W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии <60mΩ@VDS=4.5 <90mΩ@VDS=2.5V 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 CHIPLINK 型号 LX2302S
  • PDF LX2302S.pdf
LX2302BS

LX2302BS-CHIPLINK

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельLX2302BS
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительCHIPLINK
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение - 电流 2.3A 功率(Pd)  0.7W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии <60mΩ@VDS=4.5 <90mΩ@VDS=2.5V 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 CHIPLINK 型号 LX2302BS
  • PDF LX2302BS.pdf
LX2300S

LX2300S-CHIPLINK

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельLX2300S
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительCHIPLINK
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение - 电流 6A 功率(Pd)  1.25W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии <28mΩ@VDS=4.5V <33mΩ@VDS=2.5V 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 CHIPLINK 型号 LX2300S
  • PDF LX2300S.pdf
LX3400L

LX3400L-CHIPLINK

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельLX3400L
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительCHIPLINK
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 900mV@250uA 电流 5.1A 功率(Pd)  1.3W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 24mΩ@10V,5A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 CHIPLINK 型号 LX3400L
  • PDF LX3400L.pdf
LX3400S

LX3400S-CHIPLINK

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельLX3400S
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительCHIPLINK
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 900mV@250uA 电流 5.1A 功率(Pd)  1.3W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 33mΩ@10V,5A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 CHIPLINK 型号 LX3400S
  • PDF LX3400S.pdf
NCE6020AK

NCE6020AK-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE6020AK
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 2.5V@250uA 电流 20A 功率(Pd)  45W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 35mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6020AK
  • PDF NCE6020AK.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 5455565758596061...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd