О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
3DD13009AN

3DD13009AN-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель3DD13009AN
  • КорпусTO-3PN
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор 电流(Ic) 12A 电压 - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 450mV@8A,1.6A различные  Ic、Vce 时 DC 电流коэффициент усиления (hFE) - мощность 120W频率 4MHz транзистор 类型 NPN 封装 TO-3PN BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13009AN
  • PDF 3DD13009AN.pdf
Консультация
3DD13007X1

3DD13007X1-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель3DD13007X1
  • КорпусTO-220AB-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор 电流(Ic) 8A 电压 - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 500mV@5A,1A различные  Ic、Vce 时 DC 电流коэффициент усиления (hFE) - мощность 80W频率 10MHz транзистор 类型 NPN 封装 TO-220AB-3 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13007X1
  • PDF 3DD13007X1.pdf
Консультация
3DD13009A8

3DD13009A8-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель3DD13009A8
  • КорпусTO-220AB-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор 电流(Ic) 12A 电压 - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 450mV@8A,1.6A различные  Ic、Vce 时 DC 电流коэффициент усиления (hFE) - мощность 100W频率 4MHz транзистор 类型 NPN 封装 TO-220AB-3 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13009A8
  • PDF 3DD13009A8.pdf
Консультация
3DD13005C7D

3DD13005C7D-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель3DD13005C7D
  • КорпусTO-126
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор 电流(Ic) 4A 电压 - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 300mV@2A,500mA различные  Ic、Vce 时 DC 电流коэффициент усиления (hFE) - мощность 50W 频率 5MHz транзистор 类型 NPN+PNP 封装 TO-126 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13005C7D
  • PDF 3DD13005C7D.pdf
Консультация
3DD13003F6

3DD13003F6-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель3DD13003F6
  • КорпусTO-126
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор 电流(Ic) 1.5A 电压 - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 300mV@1A,250mA различные  Ic、Vce 时 DC 电流коэффициент усиления (hFE) - мощность 50W频率 5MHz транзистор 类型 NPN 封装 TO-126 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13003F6
  • PDF 3DD13003F6.pdf
Консультация
3DD13003E6D

3DD13003E6D-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель3DD13003E6D
  • КорпусTO-126
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор 电流(Ic) 1.3A 电压 - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 400mV@500mA,100mA различные  Ic、Vce 时 DC 电流коэффициент усиления (hFE) 15@200mA,5V мощность 40W频率 5MHz транзистор 类型 NPN+PNP 封装 TO-126 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13003E6D
  • PDF 3DD13003E6D.pdf
Консультация
3DD13003E1D

3DD13003E1D-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель3DD13003E1D
  • КорпусTO-92-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор 电流(Ic) 1.3A 电压 - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 400mV@500mA,100mA различные  Ic、Vce 时 DC 电流коэффициент усиления (hFE) 15@200mA,5V мощность 800mW 频率 5MHz транзистор 类型 NPN+PNP 封装 TO-92-3 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13003E1D
  • PDF 3DD13003E1D.pdf
Консультация
BT60T60ANFK

BT60T60ANFK-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBT60T60ANFK
  • КорпусTO-3PN
  • Производитель华润华晶
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - коллектор (Ic) 60A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 180A мощность 403W заряд затвора 117nCвремя обратного восстановления (trr) 80ns различные  Vge、Ic 时 Vce(on) TYP=1.85V @IC=60A,VGE=15V 封装 TO-3PN IGBT-транзистор /模块 бренд CR Huajing артикул BT60T60ANFK
  • PDF BT60T60ANFK.pdf
Консультация
BT50T60ANFK

BT50T60ANFK-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBT50T60ANFK
  • КорпусTO-3PN
  • Производитель华润华晶
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - коллектор (Ic) 50A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 180A мощность 416W заряд затвора 303nC время обратного восстановления (trr) 80ns различные  Vge、Ic 时 Vce(on) TYP=1.8V @IC=50A,VGE=15V 封装 TO-3PN IGBT-транзистор /模块 бренд CR Huajing артикул BT50T60ANFK
  • PDF BT50T60ANFK.pdf
Консультация
BT25T120CKR

BT25T120CKR-华润华晶

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBT25T120CKR
  • КорпусTO-247-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 1200V 电流 - коллектор (Ic) 25A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 75A мощность 208W заряд затвора 142nCвремя обратного восстановления (trr) - различные  Vge、Ic 时 Vce(on) typ =1.95V@ IC =25A 封装 TO-247-3 IGBT-транзистор /模块 бренд CR Huajing артикул BT25T120CKR
  • PDF BT25T120CKR.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 5354555657585960...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd