О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > HYNIX(海力士)
HYNIX(海力士)

HYNIX(海力士)

Категория：
NAND FLASHDDR SDRAM
Мультивыбор
Корпус：
BGA-200(10x15)BGA-96(7.5x13)FBGA-153FBGA-78FBGA-96
Мультивыбор
H5TQ4G63EFR-RDC

H5TQ4G63EFR-RDC-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5TQ4G63EFR-RDC
  • КорпусFBGA-96
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти - частота тактирования 800MHz напряжение 1.5V рабочая температура -0~+95℃ корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIXартикул H5TQ4G63EFR-RDC
  • PDF H5TQ4G63EFR-RDC.pdf
Консультация
H5TQ4G83EFR-RDC

H5TQ4G83EFR-RDC-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5TQ4G83EFR-RDC
  • КорпусFBGA-78
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M*8 частота тактирования 800MHz напряжение 1.5V рабочая температура -0~+95℃ корпус FBGA-78 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5TQ4G83EFR-RDC
  • PDF H5TQ4G83EFR-RDC.pdf
Консультация
H5AN8G6NCJR-VKC

H5AN8G6NCJR-VKC-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5AN8G6NCJR-VKC
  • КорпусFBGA-96
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 1.2V рабочая температура - корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5AN8G6NCJR-VKC
  • PDF H5AN8G6NCJR-VKC.pdf
Консультация
H5AN4G6NBJR-VKC

H5AN4G6NBJR-VKC-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5AN4G6NBJR-VKC
  • КорпусFBGA-96
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 1.2V рабочая температура 0°~ 90° корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5AN4G6NBJR-VKC
  • PDF H5AN4G6NBJR-VKC.pdf
Консультация
H5TC4G63EFR-PBA

H5TC4G63EFR-PBA-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5TC4G63EFR-PBA
  • КорпусBGA-96(7.5x13)
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M*8 частота тактирования 800M напряжение 1.5V рабочая температура 0°~ 90° корпус BGA-96(7.5x13) DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5TC4G63EFR-PBA
  • PDF H5TC4G63EFR-PBA.pdf
Консультация
H5AN8G8NCJR-VKC

H5AN8G8NCJR-VKC-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5AN8G8NCJR-VKC
  • КорпусFBGA-78
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 1.2V рабочая температура 0°~ 90° корпус FBGA-78 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5AN8G8NCJR-VKC
  • PDF H5AN8G8NCJR-VKC.pdf
Консультация
H5TQ4G63EFR-RDI

H5TQ4G63EFR-RDI-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5TQ4G63EFR-RDI
  • КорпусFBGA-78
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M*8 частота тактирования 800M напряжение 1.2V рабочая температура -40°~ 95° корпус FBGA-78 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5TQ4G63EFR-RDI
  • PDF H5TQ4G63EFR-RDI.pdf
Консультация
H5TC4G63EFR-RDA

H5TC4G63EFR-RDA-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5TC4G63EFR-RDA
  • КорпусFBGA-96
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M*8 частота тактирования 800M напряжение 1.5V рабочая температура -40°~ 105° корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5TC4G63EFR-RDA
  • PDF H5TC4G63EFR-RDA.pdf
Консультация
H5AN4G6NBJR-UHC

H5AN4G6NBJR-UHC-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5AN4G6NBJR-UHC
  • КорпусFBGA-96
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 1.2V рабочая температура 0°~ 95° корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIXартикул H5AN4G6NBJR-UHC
  • PDF H5AN4G6NBJR-UHC.pdf
Консультация
H5TC2G63GFR-PBA

H5TC2G63GFR-PBA-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5TC2G63GFR-PBA
  • КорпусFBGA-96
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 1.35V рабочая температура 0°~ 95° корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5TC2G63GFR-PBA
  • PDF H5TC2G63GFR-PBA.pdf
Консультация
H5TQ2G63GFR-RDC

H5TQ2G63GFR-RDC-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5TQ2G63GFR-RDC
  • КорпусFBGA-96
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 1.35V рабочая температура 0°~ 95° корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIXартикул H5TQ2G63GFR-RDC
  • PDF H5TQ2G63GFR-RDC.pdf
Консультация
H5TQ4G63EFR-TEC

H5TQ4G63EFR-TEC-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5TQ4G63EFR-TEC
  • КорпусFBGA-96
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M*8 частота тактирования 800M напряжение 1.5V рабочая температура 0°~ 95° корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5TQ4G63EFR-TEC
  • PDF H5TQ4G63EFR-TEC.pdf
Консультация
H9HCNNN8KUMLHR-NME

H9HCNNN8KUMLHR-NME-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH9HCNNN8KUMLHR-NME
  • КорпусBGA-200(10x15)
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 1.8V рабочая температура -20°~ 85° корпус BGA-200(10x15) DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H9HCNNN8KUMLHR-NME
  • PDF H9HCNNN8KUMLHR-NME.pdf
Консультация
H5TQ2G63GFR-TEC

H5TQ2G63GFR-TEC-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5TQ2G63GFR-TEC
  • КорпусFBGA-96
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 1.35V рабочая температура 0°~ 95° корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5TQ2G63GFR-TEC
  • PDF H5TQ2G63GFR-TEC.pdf
Консультация
H5TC2G63GFR-PBK

H5TC2G63GFR-PBK-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5TC2G63GFR-PBK
  • КорпусFBGA-96
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 1.35V рабочая температура 0°~ 95° корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5TC2G63GFR-PBK
  • PDF H5TC2G63GFR-PBK.pdf
Консультация
H5TC4G83EFR-PBA

H5TC4G83EFR-PBA-HYNIX

  • ТипDDR SDRAM
  • МодельH5TC4G83EFR-PBA
  • КорпусFBGA-78
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M*8 частота тактирования 800M напряжение 1.5V рабочая температура 0°~ 95° корпус FBGA-78 DDR SDRAM бренд HYNIXартикул H5TC4G83EFR-PBA
  • PDF H5TC4G83EFR-PBA.pdf
Консультация
H26M41208HPR

H26M41208HPR-HYNIX

  • ТипNAND FLASH
  • МодельH26M41208HPR
  • КорпусFBGA-153
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -20°C ~ 85°C（TC） корпус FBGA-153 NAND FLASH бренд HYNIX артикул H26M41208HPR
  • PDF H26M41208HPR.pdf
Консультация
H26M41208HPRA

H26M41208HPRA-HYNIX

  • ТипNAND FLASH
  • МодельH26M41208HPRA
  • КорпусFBGA-153
  • ПроизводительHYNIX
  • Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -20°C ~ 85°C（TC） корпус FBGA-153 NAND FLASH бренд HYNIXартикул H26M41208HPRA
  • PDF H26M41208HPRA.pdf
Консультация
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd