О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Производитель > 华润华晶
华润华晶

华润华晶

CS12N65FA9R

CS12N65FA9R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS12N65FA9R
  • КорпусTO-220F
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 12A мощность (Pd)  42W канал Nсопротивление в открытом состоянии 800mΩ@10V,6A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS12N65FA9R
  • PDF CS12N65FA9R.pdf
CS4N60A4R

CS4N60A4R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS4N60A4R
  • КорпусTO-252-2
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  75W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.5Ω@10V,2A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS4N60A4R
  • PDF CS4N60A4R.pdf
CS13N50FA9R

CS13N50FA9R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS13N50FA9R
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 500V пороговое напряжение 4V@250uA ток 13A мощность (Pd)  42W канал Nсопротивление в открытом состоянии 500mΩ@10V,6.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS13N50FA9R
  • PDF CS13N50FA9R.pdf
CS2N60A3H

CS2N60A3H-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS2N60A3H
  • КорпусTO-251(IPAK)
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение 4V@250uA ток 2A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.5Ω@10V,1A корпус TO-251(IPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS2N60A3H
  • PDF CS2N60A3H.pdf
CS16N65FA9H

CS16N65FA9H-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS16N65FA9H
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 16A мощность (Pd)  70W канал N сопротивление в открытом состоянии 550mΩ@10V,8A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS16N65FA9H
  • PDF CS16N65FA9H.pdf
CS10N60FA9R

CS10N60FA9R-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS10N60FA9R
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение 4V@250uA ток 10A мощность (Pd)  40W канал Nсопротивление в открытом состоянии 900mΩ@10V,5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS10N60FA9R
  • PDF CS10N60FA9R.pdf
CS25N06C4

CS25N06C4-华润华晶

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельCS25N06C4
  • КорпусTO-252-2
  • Производитель华润华晶
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 2V@250uA ток 25A мощность (Pd)  36.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии 29mΩ@10V,19A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS25N06C4
  • PDF CS25N06C4.pdf
3DD13005GRD

3DD13005GRD-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13005GRD
  • КорпусTO-262-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 4A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 250mV@2A,500mA различные  Ic、Vce 时 DC ток коэффициент усиления (hFE) 15@1A,5V мощность 50W频率 5MHz транзистор тип NPN корпус TO-262-3 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13005GRD
  • PDF 3DD13005GRD.pdf
3DD13009AN

3DD13009AN-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13009AN
  • КорпусTO-3PN
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 12A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 450mV@8A,1.6A различные  Ic、Vce 时 DC ток коэффициент усиления (hFE) - мощность 120W频率 4MHz транзистор тип NPN корпус TO-3PN BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13009AN
  • PDF 3DD13009AN.pdf
3DD13007X1

3DD13007X1-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13007X1
  • КорпусTO-220AB-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 8A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 500mV@5A,1A различные  Ic、Vce 时 DC ток коэффициент усиления (hFE) - мощность 80W频率 10MHz транзистор тип NPN корпус TO-220AB-3 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13007X1
  • PDF 3DD13007X1.pdf
3DD13009A8

3DD13009A8-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13009A8
  • КорпусTO-220AB-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 12A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 450mV@8A,1.6A различные  Ic、Vce 时 DC ток коэффициент усиления (hFE) - мощность 100W频率 4MHz транзистор тип NPN корпус TO-220AB-3 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13009A8
  • PDF 3DD13009A8.pdf
3DD13005C7D

3DD13005C7D-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13005C7D
  • КорпусTO-126
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 4A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 300mV@2A,500mA различные  Ic、Vce 时 DC ток коэффициент усиления (hFE) - мощность 50W 频率 5MHz транзистор тип NPN+PNP корпус TO-126 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13005C7D
  • PDF 3DD13005C7D.pdf
3DD13003F6

3DD13003F6-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13003F6
  • КорпусTO-126
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 1.5A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 300mV@1A,250mA различные  Ic、Vce 时 DC ток коэффициент усиления (hFE) - мощность 50W频率 5MHz транзистор тип NPN корпус TO-126 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13003F6
  • PDF 3DD13003F6.pdf
3DD13003E6D

3DD13003E6D-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13003E6D
  • КорпусTO-126
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 1.3A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 400mV@500mA,100mA различные  Ic、Vce 时 DC ток коэффициент усиления (hFE) 15@200mA,5V мощность 40W频率 5MHz транзистор тип NPN+PNP корпус TO-126 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13003E6D
  • PDF 3DD13003E6D.pdf
3DD13003E1D

3DD13003E1D-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13003E1D
  • КорпусTO-92-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 1.3A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib、Ic 时 Vce падение напряжения насыщения 400mV@500mA,100mA различные  Ic、Vce 时 DC ток коэффициент усиления (hFE) 15@200mA,5V мощность 800mW 频率 5MHz транзистор тип NPN+PNP корпус TO-92-3 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13003E1D
  • PDF 3DD13003E1D.pdf
CD1875CZ

CD1875CZ-华润华晶

  • Типаудиоусилитель мощности
  • МодельCD1875CZ
  • КорпусTO-220-5
  • Производитель华润华晶
  • Описаниетип - тип выхода 单通道 напряжение 16~60V выходная мощность 30W температура - корпус TO-220-5 аудиоусилитель мощности бренд CR Huajing артикул CD1875CZ
  • PDF CD1875CZ.pdf
CV203DCZ

CV203DCZ-华润华晶

  • Типаудиоусилитель мощности
  • МодельCV203DCZ
  • КорпусTO-220-5
  • Производитель华润华晶
  • Описаниетип - тип выхода - напряжение 8-18V 不выходная мощность 10W температура - корпус TO-220-5 аудиоусилитель мощности бренд CR Huajing артикул CV203DCZ
  • PDF CV203DCZ.pdf
CD8227GP

CD8227GP-华润华晶

  • Типаудиоусилитель мощности
  • МодельCD8227GP
  • КорпусHDIP-12
  • Производитель华润华晶
  • Описаниетип - тип выхода 双通道 напряжение 5-12V выходная мощность 3W температура - корпус HDIP-12 аудиоусилитель мощности бренд CR Huajing артикул CD8227GP
  • PDF CD8227GP.pdf
CD2050CZ

CD2050CZ-华润华晶

  • Типаудиоусилитель мощности
  • МодельCD2050CZ
  • КорпусFZIP5
  • Производитель华润华晶
  • Описаниетип - тип выхода - напряжение 4.5-25V выходная мощность 32W температура - корпус FZIP5 аудиоусилитель мощности бренд CR Huajing артикул CD2050CZ
  • PDF CD2050CZ.pdf
CD1517CP

CD1517CP-华润华晶

  • Типаудиоусилитель мощности
  • МодельCD1517CP
  • КорпусDIP-18
  • Производитель华润华晶
  • Описаниетип - тип выхода - напряжение - выходная мощность - температура - корпус DIP-18 аудиоусилитель мощности бренд CR Huajing артикул CD1517CP
  • PDF
Всего записей: 62«Предыдущая1234Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd