关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
上传BOMBOM
全部产品
首页 品牌库 商品目录 BOM 新闻资讯 解决方案 关于我们 联系我们
首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
NCE3013J

NCE3013J-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3013J
  • 封装规格DFN-6L(2x2)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 13A 功率(Pd)  3W 沟道 N导通电阻 12mΩ @ VGS=10V 封装 DFN-6L(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3013J
  • PDF NCE3013J.pdf
在线咨询
NCE70T260EF

NCE70T260EF-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T260EF
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700 V 阈值电压 - 电流 15 A 功率(Pd)  33.2W 沟道 N导通电阻 260 mΩ 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T260EF
  • PDF NCE70T260EF.pdf
在线咨询
NCE65T1K2F

NCE65T1K2F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T1K2F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 4A 功率(Pd)  28.4W 沟道 N导通电阻 1.1Ω@10V,2A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T1K2F
  • PDF NCE65T1K2F.pdf
在线咨询
NCEP050N12D

NCEP050N12D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP050N12D
  • 封装规格TO-263
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 120V 阈值电压 - 电流 130A 功率(Pd)  220W 沟道 N导通电阻 4.3mΩ , typical (TO-263)@VGS=10V 封装 TO-263 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP050N12D
  • PDF NCEP050N12D.pdf
在线咨询
NCEP85T12

NCEP85T12-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP85T12
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 - 电流 120A 功率(Pd)  160W 沟道 N 导通电阻 5.3mΩ @ VGS=10V 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP85T12
  • PDF NCEP85T12.pdf
在线咨询
NCE30NP1812Q

NCE30NP1812Q-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30NP1812Q
  • 封装规格DFN-8L(3.3x3.3)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 N,18A-P,-12A 功率(Pd)  15W 沟道 N and P导通电阻 N,24mΩ @ VGS=10V P,35mΩ @ VGS=-10V 封装 DFN-8L(3.3x3.3) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30NP1812Q
  • PDF NCE30NP1812Q.pdf
在线咨询
NCE01H10

NCE01H10-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE01H10
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 4V@250uA 电流 100A 功率(Pd)  200W 沟道 N导通电阻 13mΩ@10V,40A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE01H10
  • PDF NCE01H10.pdf
在线咨询
NCE2010E

NCE2010E-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE2010E
  • 封装规格TSSOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 900mV@250uA 电流 7A 功率(Pd)  1.5W 沟道 2个N导通电阻 18mΩ@4.5V,6.5A 封装 TSSOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE2010E
  • PDF NCE2010E.pdf
在线咨询
NCE65T540I

NCE65T540I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T540I
  • 封装规格TO-251(IPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 8A 功率(Pd)  69W 沟道 N导通电阻 540mΩ@10V,4A 封装 TO-251(IPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T540I
  • PDF NCE65T540I.pdf
在线咨询
NCE65T900I

NCE65T900I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T900I
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650 V 阈值电压 - 电流 5 A 功率(Pd)  46W 沟道 N导通电阻 750 mΩ 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T900I
  • PDF NCE65T900I.pdf
在线咨询
共1180记录«上一页1... 8990919293949596...118下一页»
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有 粤ICP备2023111934号