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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
STS1DNC45STS1DNC45

STS1DNC45STS1DNC45-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STS1DNC45STS1DNC45
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STS1DNC45封装SOIC-8类型2个N沟道漏源电压(Vdss)450V连续漏极电流(Id)400mA功率(Pd)1.6W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.1Ω@10V,500mA阈值电压(Vgs(th)@Id)3.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V输入电容(Ciss@Vds)160pF@25V反向传…
  • PDF STS1DNC45STS1DNC45.pdf
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STW12N120K5

STW12N120K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STW12N120K5
  • 封装规格TO-247-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW12N120K5封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.2kV连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)620mΩ@10V,6A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)44.2nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.37nF@100V反向…
  • PDF STW12N120K5.pdf
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STP4NK60ZFP

STP4NK60ZFP-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP4NK60ZFP
  • 封装规格TO-220F
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP4NK60ZFP封装TO-220F类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@10V,2A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)26nC@10V输入电容(Ciss@Vds)510pF@25V
  • PDF STP4NK60ZFP.pdf
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STS6NF20V

STS6NF20V-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STS6NF20V
  • 封装规格SO-8
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STS6NF20V封装SO-8类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)6A功率(Pd)2.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@4.5V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)600mV@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)11.5nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)460pF@15V
  • PDF STS6NF20V.pdf
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STW48NM60N

STW48NM60N-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STW48NM60N
  • 封装规格TO-247AC-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW48NM60N封装TO-247AC-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)44A功率(Pd)330W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)70mΩ@10V,20A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • PDF STW48NM60N.pdf
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STD3NK90ZT4

STD3NK90ZT4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD3NK90ZT4
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NK90ZT4封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)3A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.8Ω@10V,1.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)22.7nC@10V输入电容(Ciss@Vds)590pF@25V…
  • PDF STD3NK90ZT4.pdf
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STP6NK90Z

STP6NK90Z-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP6NK90Z
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP6NK90Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)5.8A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@10V,2.9A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)60.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.35nF@25V工作温度…
  • PDF STP6NK90Z.pdf
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STP10NK60ZFP

STP10NK60ZFP-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP10NK60ZFP
  • 封装规格TO-220F
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP10NK60ZFP封装TO-220F类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)10A功率(Pd)35W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)750mΩ@10V,4.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)70nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.37nF@25V工作…
  • PDF STP10NK60ZFP.pdf
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STW20NK50Z

STW20NK50Z-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STW20NK50Z
  • 封装规格TO-247AC-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW20NK50Z封装TO-247AC-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)270mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
  • PDF STW20NK50Z.pdf
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STF13N65M2

STF13N65M2-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STF13N65M2
  • 封装规格TO-220FP
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF13N65M2封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)10A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)430mΩ@5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)590pF@100V反向传输电…
  • PDF STF13N65M2.pdf
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