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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
SBR0220T5-7

SBR0220T5-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR0220T5-7
  • 封装规格SOD-523
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 470mV@200mA 直流反向耐压(Vr) 20V 平均整流电流(Io) 200mA 反向电流(Ir) 40uA@20V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SOD-523 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR0220T5-7
  • PDF SBR0220T5-7.pdf
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SBR1U40LP-7

SBR1U40LP-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR1U40LP-7
  • 封装规格DFN-3(1.1x1.4)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 460mV@1A 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 1A 反向电流(Ir) 50uA@40V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 DFN-3(1.1x1.4) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR1U40LP-7
  • PDF SBR1U40LP-7.pdf
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SBR3U60P1-7

SBR3U60P1-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR3U60P1-7
  • 封装规格PowerDI-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 650mV@3A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 100uA@60V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 PowerDI-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR3U60P1-7
  • PDF SBR3U60P1-7.pdf
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SBR15U50SP5-13

SBR15U50SP5-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR15U50SP5-13
  • 封装规格Power-DI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 440mV@15A 直流反向耐压(Vr) 50V 平均整流电流(Io) 15A 反向电流(Ir) 500uA@50V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 Power-DI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR15U50SP5-13
  • PDF SBR15U50SP5-13.pdf
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SBR40U200CTB-13

SBR40U200CTB-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR40U200CTB-13
  • 封装规格TO-263AB
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 930mV@20A 直流反向耐压(Vr) 200V 平均整流电流(Io) 40A 反向电流(Ir) 200uA@200V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装  TO-263AB 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR40U200CTB-13
  • PDF SBR40U200CTB-13.pdf
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SBR2U60S1FQ-7

SBR2U60S1FQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR2U60S1FQ-7
  • 封装规格SOD-123F
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 510mV@2A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 2A 反向电流(Ir) 150uA@60V 工作温度 -55°C ~ 175°C 封装 SOD-123F 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR2U60S1FQ-7
  • PDF SBR2U60S1FQ-7.pdf
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SBRT20U50SLPQ-13

SBRT20U50SLPQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBRT20U50SLPQ-13
  • 封装规格Power-DI-5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 500mV@20A 直流反向耐压(Vr) 50V 平均整流电流(Io) 20A 反向电流(Ir) 500uA@50V 工作温度 -55°C ~ 175°C 封装 Power-DI-5060-8 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBRT20U50SLPQ-13
  • PDF SBRT20U50SLPQ-13.pdf
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SBRT5A50SAF-13

SBRT5A50SAF-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBRT5A50SAF-13
  • 封装规格DO-214AD
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 530mV@5A 直流反向耐压(Vr) 50V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 150uA@50V 工作温度 -55°C ~ 150°C 封装 DO-214AD 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBRT5A50SAF-13
  • PDF SBRT5A50SAF-13.pdf
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SBR12U100P5Q-13

SBR12U100P5Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR12U100P5Q-13
  • 封装规格Power-DI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 780mV@12A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 12A 反向电流(Ir) 250uA@100V 工作温度 -55°C ~ 150°C 封装 Power-DI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR12U100P5Q-13
  • PDF SBR12U100P5Q-13.pdf
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SBRT10U60D1-13

SBRT10U60D1-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBRT10U60D1-13
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 520mV@10A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 400uA@60V 工作温度 -55°C ~ 150°C 封装 TO-252-2 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台) 型号 SBRT10U60D1-13
  • PDF SBRT10U60D1-13.pdf
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SBR10M100P5Q-13

SBR10M100P5Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10M100P5Q-13
  • 封装规格PowerDI5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 880 mV @ 10 A 直流反向耐压(Vr) 100 V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 2 µA @ 100 V 工作温度 -55°C ~ 175°C 封装 PowerDI5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10M100P5Q-13
  • PDF SBR10M100P5Q-13.pdf
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SBR1045D1-13

SBR1045D1-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR1045D1-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 580mV@10A 直流反向耐压(Vr) 45V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 500uA@45V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-252 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR1045D1-13
  • PDF SBR1045D1-13.pdf
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SBR8U60P5Q-13

SBR8U60P5Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR8U60P5Q-13
  • 封装规格Power-DI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 530 mV @ 8 A 直流反向耐压(Vr) 60 V 平均整流电流(Io) 8A 反向电流(Ir) 330 µA @ 60 V 工作温度 -55°C ~ 150°C 封装 Power-DI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR8U60P5Q-13
  • PDF SBR8U60P5Q-13.pdf
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SBR10200CTL-13

SBR10200CTL-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10200CTL-13
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 940mV@5A 直流反向耐压(Vr) 200V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 100uA@200V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-252-2 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台) 型号 SBR10200CTL-13
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SBR6100CTL-13

SBR6100CTL-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR6100CTL-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 740mV@3A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 6A 反向电流(Ir) 200uA@100V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-252 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台) 型号 SBR6100CTL-13
  • PDF SBR6100CTL-13.pdf
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SBR05M60BLP-7

SBR05M60BLP-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR05M60BLP-7
  • 封装规格DFN-4(3x3)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 400mV@500mA 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 500mA 反向电流(Ir) 17uA@60V 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 封装 DFN-4(3x3) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR05M60BLP-7
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SBR2U30SA-13

SBR2U30SA-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR2U30SA-13
  • 封装规格SMA
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 400mV@2A 直流反向耐压(Vr) 30V 平均整流电流(Io) 2A 反向电流(Ir) 500uA@30V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SMA 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR2U30SA-13
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SBR8M100P5Q-13

SBR8M100P5Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR8M100P5Q-13
  • 封装规格PowerDI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 880mV@8A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 8A 反向电流(Ir) 2uA@100V 工作温度 -55°C ~ 175°C 封装 PowerDI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR8M100P5Q-13
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SBR40U300CTB

SBR40U300CTB-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR40U300CTB
  • 封装规格TO-263AB
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 870mV@20A 直流反向耐压(Vr) 300V 平均整流电流(Io) 20A 反向电流(Ir) 100uA@300V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 TO-263AB 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR40U300CTB
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SBR2A30P1-7

SBR2A30P1-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR2A30P1-7
  • 封装规格PowerDI-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 400mV@2A 直流反向耐压(Vr) 30V 平均整流电流(Io) 2A 反向电流(Ir) 55uA@30V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 PowerDI-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR2A30P1-7
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