DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal 5a de Potencia (pd) 2w (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, encapsulada en 4.5a con tubo de efecto de campo Sot - 223 (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn4a06gta serie zxmn4a06gta
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 18a; Resistencia de conducción P del canal de 40a Power (pd) 2.3w (rds (on) @ vgs, id) 6.7mwh @ 4.5v, 15a encapsulada powerdi3333 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp26m7ufg - 7 serie dmp26m7ufg
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 3.6a Potencia (pd) 770mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, 3.6a encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3406l - 7 serie dmg3406l
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 6a Potencia (pd) Canal de 1,3w 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 25mwh @ 10v, 7a encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmp3028lsd - 13 serie dmp3028lsd