DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 55a (pd) 2,1w (rds (on) @ vgs, id) 15mwh @ 10a, embalaje de 10v to - 252 tubos de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmph4013sk3 - 13 serie dmph4013sk3
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 800mw (rds (on) @ vgs, id) 29mwh @ 10v, 6a encapsulada Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2053u - 7 serie dmn2053u
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@1mA Resistencia de conducción n del canal de 700mw (rds (on) @ vgs, id) 1omega @ 10v, encapsulada en 1.5a con tubo de efecto de campo to - 92 - 3 (mosfet) marca diodes (meitai) zvn4206a serie zvn4206a
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 200 MW de corriente 540ma (pd) resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 550momega @ 540ma, embalaje de 4,5v Sot - 323 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2004wkq - 7 serie dmn2004wkq
DescripciónVoltaje umbral de 450v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 250ma (pd) 13,9w (rds (on) @ vgs, id) 150 Omega @ 50ma, embalaje de 10v Sot - 223 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp45h150dhe - 13 serie dmp45h150dhe
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.7a Potencia (pd) Canal de 1.5w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 120momega @ 10v, 2.5a encapsulamiento Sot - 89 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn6a11zta serie zxmn6a11zta
DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@100uA Corriente 360 ma Potencia (pd) 320mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 10v, 270ma encapsulado Sot - 323 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn53d0lw - 7 serie dmn53d0lw
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Resistencia de conducción n del canal de 800mw (rds (on) @ vgs, id) de corriente 6.8a @ 6.5a, encapsulada por 4.5v Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2024u - 7 Series dmn2024u
DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 400 MW de corriente 700ma (pd) (rds (on) @ vgs, id) 700mohm @ 1,5a, 10v encapsulada Sot - 23 - 3 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn10h700s - 7 serie dmn10h700s