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ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloZXMP10A17GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 1.7a (pd) 350mohm @ 10v, embalaje Sot - 223 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp10a17gta serie zxmp10a17gta
  • PDF ZXMP10A17GTA.pdf
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DMC4040SSD-13

DMC4040SSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMC4040SSD-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.8V@250uA Corriente 6.8a Potencia (pd) Canal 1.8w 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 25mwh @ 10v, 3a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmc40ssd - 13 serie dmc4040ssd
  • PDF DMC4040SSD-13.pdf
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ZVN4424GTA

ZVN4424GTA-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloZVN4424GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónFabricante diodes (meitai) clasificación de productos tubo de efecto de campo (mosfet) serie zvn4424gta tipo de instalación SMT encapsulamiento / carcasa Sot - 223 tensión umbral (vgs (th) @ id) 1.8V@1mA Corriente 500ma Potencia (pd) 2,5w resistencia a la presión 240v resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 5,5 Omega @ 10v, Canal 500ma n
  • PDF ZVN4424GTA.pdf
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DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMN2990UFA-7B
  • PaqueteXFDFN-3(0.6x0.8)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 510ma Potencia (pd) 400mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 990momega @ 4,5v, 100ma encapsulado xfdfn - 3 (0,6x0,8) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (estados unidos) dmn2990ufa - 7b serie dmn2990ufa
  • PDF DMN2990UFA-7B.pdf
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DMP2004VK-7

DMP2004VK-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMP2004VK-7
  • PaqueteSOT-563
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 530ma Potencia (pd) 400mw canal 2 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 900mwh @ 4,5v, 430ma encapsulado Sot - 563 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2004vk - 7 serie dmp2004vk
  • PDF DMP2004VK-7.pdf
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DMP2130L-7

DMP2130L-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMP2130L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.25V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,4w de potencia 3a actual (pd) (rds (on) @ vgs, id) 51mwh @ 4,5v, 3.5a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2130l - 7 serie dmp2130l
  • PDF DMP2130L-7.pdf
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DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMT6010LFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 13a; 30a Potencia (pd) 2,2w; Resistencia de conducción n del Canal 41w (rds (on) @ vgs, id) 7,5 MWH @ 10v, 20a encapsulada powerdi3333 - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmt6010lfg - 7 serie dmt6010lfg
  • PDF DMT6010LFG-7.pdf
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DMP3130L-7

DMP3130L-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMP3130L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.3V@250uA Corriente 3.5a Potencia (pd) 700mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 77mwh @ 10v, 4.2a encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3130l - 7 serie dmp3130l
  • PDF DMP3130L-7.pdf
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DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMN3032LFDB-7
  • PaqueteDMN3032LFDB-7
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 6.2a Potencia (pd) Canal 1w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 30mwh @ 10v, 5.8a encapsulado dmn3032lfdb - 7 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3032lfdb - 7 serie dmn3032lfdb - 7 dmn30lfdb
  • PDF DMN3032LFDB-7.pdf
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ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloZXMN6A08E6TA
  • PaqueteSOT-23-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.8a Potencia (pd) Canal de 1.1w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 80momega @ 10v, 4.8a encapsulado Sot - 23 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn6a08e6ta serie zxmn6a08e6ta
  • PDF ZXMN6A08E6TA.pdf
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