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ZXMP10A18KTC

ZXMP10A18KTC-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloZXMP10A18KTC
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Corriente 3.8a Potencia (pd) 2.17w canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 150 MWH @ 10v, 2.8a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp10a18ktc serie zxmp10ktc
  • PDF ZXMP10A18KTC.pdf
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DMN3051L-7

DMN3051L-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMN3051L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.2V@250uA Corriente 5.8a Potencia (pd) 700mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 38mwh @ 10v, 5.8a encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3051l - 7 serie dmn3051l
  • PDF DMN3051L-7.pdf
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DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMN3009LFVW-7
  • PaquetePDFN-8(3.1x3.1)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 60a Potencia (pd) Canal 1w resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 5omega @ 10v, 30a encapsulado pdfn - 8 (3.1x3.1) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3009lfvw - 7 serie dmn3009lfvw
  • PDF DMN3009LFVW-7.pdf
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ZXMS6004FFQTA

ZXMS6004FFQTA-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloZXMS6004FFQTA
  • PaqueteSOT-23F
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60 V resistente a la presión (vgs (th) @ id) - corriente 1.3 a Potencia (pd) resistencia de conducción n del canal de 1,5 W (rds (on) @ vgs, id) 500 mahms encapsulan el tubo de efecto de campo Sot - 23F (mosfet) marca diodes (midea) zxms6004ffqta serie zxms6004ffqta
  • PDF ZXMS6004FFQTA.pdf
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DMP1045UQ-7

DMP1045UQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMP1045UQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 800mw de potencia 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 31mwh @ 4a, 4.5v encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp1045uq - 7 serie dmp1045uq
  • PDF DMP1045UQ-7.pdf
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DMC1030UFDB-7

DMC1030UFDB-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMC1030UFDB-7
  • PaqueteU-DFN2020-6D
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 5.1a; 3.9a Potencia (pd) 1.36w canal 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 17mwh @ 4.5v, 4.6a; 37momega @ 4.5v, 3.6a encapsulado u - dfn2020 - 6d Field Efect Pipe (mosfet) marca diodes (meitai) dmc1030ufdb - 7 Series dmc1030ufdb
  • PDF DMC1030UFDB-7.pdf
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DMC3400SDW-7

DMC3400SDW-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMC3400SDW-7
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.6V@250uA Corriente 650ma; 450ma Power (pd) 310mw Channel 1 n y 1 P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 400mohm @ 590ma, 10v encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmc340sdw - 7 serie dmc340sdw
  • PDF DMC3400SDW-7.pdf
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DMC2700UDM-7

DMC2700UDM-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMC2700UDM-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.34a; 1.14a Potencia (pd) Canal 1.12w 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 400mohm @ 600ma, 4.5v encapsulado Sot - 26 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmc2700udm - 7 serie dmc2700udm
  • PDF DMC2700UDM-7.pdf
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DMP6110SFDF-7

DMP6110SFDF-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMP6110SFDF-7
  • PaqueteDFN2020-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1.97w (rds (on) @ vgs, id) 110mwh @ 4.5a, encapsulada en 10v dfn2020 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6110sfdf - 7 serie dmp6110sfdf
  • PDF DMP6110SFDF-7.pdf
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ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloZXM61P02FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 900ma Potencia (pd) 625mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 600mwh @ 4,5v, 610ma encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxm61p02fta serie zxm61p02fta
  • PDF ZXM61P02FTA.pdf
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