DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.8a Potencia (pd) 660mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 90momega @ 3.6a, 4.5v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg2302ukq - 7 serie dmg2302ukq
DescripciónVoltaje umbral de 70v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 3.8a Potencia (pd) 2.11w canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 160mwh @ 10v, 2.1a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp7a17ktc serie zxmp7a17ktc
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 6a Power (pd) 1,2w (rds (on) @ vgs, id) 35mwh @ 4,5v, 4a encapsulada Sot - 23 - 6 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2035uwt - 7 Series dmp2035uwt
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Resistencia de conducción P del canal de 310mw (rds (on) @ vgs, id) 10 Omega @ 5v, 100ma encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp610dl - 7 serie dmp610dl
DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 42w de corriente 12a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 140mwh @ 10v, 5a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmn10h170sk3 - 13 serie dmn10h170sk3
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 500ma; 360ma Power (pd) 450mw Channel 1 n y 1 P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,7 Omega @ 500ma, 10v encapsulado Sot - 563 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmg1029sv - 7 serie dmg1029sv
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 220ma Potencia (pd) 300mw canal 2 resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 2,8 Omega @ 10v, 250ma encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn63d8ldw - 7 serie dmn63d8ldw
DescripciónVoltaje umbral de 250V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.8V@1mA Corriente 310ma Potencia (pd) Canal 2w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 8,5 Omega @ 10v, 500ma encapsulado Sot - 223 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zvn4525gta serie zvn4525gta