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DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMN63D8LW-13
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 380ma Potencia (pd) 300mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 2,8 Omega @ 10v, 250ma encapsulado Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn63d8lw - 13 serie dmn63d8lw
  • PDF DMN63D8LW-13.pdf
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DMN5L06K-7

DMN5L06K-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMN5L06K-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 300ma Potencia (pd) 350mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2omega @ 5v, 50ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn5l06k - 7 serie dmn5l06k
  • PDF DMN5L06K-7.pdf
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DMTH8003SPS-13

DMTH8003SPS-13-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMTH8003SPS-13
  • PaquetePowerDI5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 80v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Corriente 100a Potencia (pd) 2,9w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 3,9mwh @ 10v, 30a encapsulado powerdi5060 - 8 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmth8003sps - 13 serie dmth8003sps
  • PDF DMTH8003SPS-13.pdf
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BSS138Q-7-F

BSS138Q-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloBSS138Q-7-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 300mw de 200 ma de Potencia (pd) (rds (on) @ vgs, id) 3,5 Omega @ 10v, 220ma encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) bss138q - 7 - F serie bss138q
  • PDF BSS138Q-7-F.pdf
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DMP4015SSS-13

DMP4015SSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMP4015SSS-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 9.1A Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 145w (rds (on) @ vgs, id) 11mwh @ 10v, 9.8a encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp4015sss - 13 serie dmp4015sss
  • PDF DMP4015SSS-13.pdf
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ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloZXMP10A13FQTA
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 625 MW de corriente 600ma (pd) (rds (on) @ vgs, id) 1 Omega @ 600ma, embalaje de 10v Sot - 23 - 3 tubos de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp10a13fqta serie zxmp10a13fqta
  • PDF ZXMP10A13FQTA.pdf
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DMC2400UV-13

DMC2400UV-13-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMC2400UV-13
  • PaqueteSOT-563
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 103a; 700ma de Potencia (pd) 450mw canal 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 350mohm @ 4,5v, 200ma; 700momega @ 4.5v, 100ma encapsulado Sot - 563 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmc2400uv - 13 serie dmc2400uv
  • PDF DMC2400UV-13.pdf
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DMC2004DWK-7

DMC2004DWK-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMC2004DWK-7
  • PaqueteSOT-363-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónFabricante diodes (meitai) clasificación de productos tubo de efecto de campo (mosfet) serie dmc2004dwk tipo de instalación SMT encapsulamiento / carcasa Sot - 363 - 6 tensión umbral (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 540ma; 430ma de Potencia (pd) 250mw resistencia a la presión 20v resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 400mwh @ 4,5v, 540ma; 700momega @ 4,5v, 430ma canal 1 n y 1 P
  • PDF DMC2004DWK-7.pdf
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BSS123TA

BSS123TA-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloBSS123TA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 170ma Potencia (pd) 360mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 6omega @ 10v, 100ma encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) serie bss123ta
  • PDF BSS123TA.pdf
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DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMN61D9UW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 340ma Potencia (pd) 320mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2omega @ 5v, 50ma encapsulado Sot - 323 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn61d9uw - 7 serie dmn61d9uw
  • PDF DMN61D9UW-7.pdf
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