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DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMT6016LSS-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N (rds (on) @ vgs, id) de corriente 9.2a Potencia (pd) 1.5w @ 10v, 10a encapsulada SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmt6016lss - 13 serie dmt6016lss
  • PDF DMT6016LSS-13.pdf
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ZXMP6A13FTA

ZXMP6A13FTA-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloZXMP6A13FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 900ma Potencia (pd) 625mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 400mohm @ 10v, 900ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp6a13fta serie zxmp6a13fta
  • PDF ZXMP6A13FTA.pdf
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BSS123WQ-7-F

BSS123WQ-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloBSS123WQ-7-F
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 170ma Potencia (pd) 200MW Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 6omega @ 10v, 170ma encapsulado Sot - 323 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) bss123wq - 7 - F serie bss123wq
  • PDF BSS123WQ-7-F.pdf
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DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMG6601LVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 3.8a; 2.5a Potencia (pd) 850mw canal 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 55mwh @ 3.4a, 10v encapsulado Sot - 26 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmg6601lvt - 7 serie dmg6601lvt
  • PDF DMG6601LVT-7.pdf
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DMN2230U-7

DMN2230U-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMN2230U-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 600mw de potencia 2a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 110mwh @ 4.5v, encapsulada en 2.5a con tubo de efecto de campo Sot - 23 - 3 (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2230u - 7 serie dmn2230u
  • PDF DMN2230U-7.pdf
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DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMN2300UFB4-7B
  • PaqueteDFN-3(0.6x1)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 950mV@250uA Resistencia de conducción n del canal de 500mw de corriente 1.3a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 175mwh @ 4.5v, 300ma encapsulada dfn - 3 (0.6x1) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2300ufb4 - 7b serie dmn2300ufb4
  • PDF DMN2300UFB4-7B.pdf
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DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMT8012LK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 80v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 2,7w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 44a (pd) 17mwh @ 10v, 12a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmt8012lk3 - 13 serie dmt8012lk3
  • PDF DMT8012LK3-13.pdf
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DMNH6021SK3Q-13

DMNH6021SK3Q-13-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMNH6021SK3Q-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N de corriente 50a (pd) 2,1w (rds (on) @ vgs, id) 23momega @ 10v, 12a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmnh6021sk3q - 13 serie dmnh6021sk3q
  • PDF DMNH6021SK3Q-13.pdf
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DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMTH6016LSD-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 7.6a Potencia (pd) Canal 1.9w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 19.5mohm @ 10v, 10a encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmth6016lsd - 13 serie dmth6016lsd
  • PDF DMTH6016LSD-13.pdf
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DMG3404L-7

DMG3404L-7-DIODES(美台)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloDMG3404L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N de 780 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 25mwh @ 10v, 5.8a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3404l - 7 serie dmg3404l
  • PDF DMG3404L-7.pdf
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