DescripciónVoltaje umbral de 450v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 5V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 104w (rds (on) @ vgs, id) 4,9 Omega @ 1,05a, embalaje de 10v to - 252 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp45h4d9hk3 - 13 serie dmp45h4d9hk3
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 3.8a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 1.08w (rds (on) @ vgs, id) 70mwh @ 10v, 3.8a encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3098lq - 7 serie dmp3098lq
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.7V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,7w de corriente 14a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 110mwh @ 10v, 12a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6180sk3 - 13 serie dmp6180sk3
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 1.2a Potencia (pd) 625 MW Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 250momega @ 1.8a, 10v encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn6a07fta serie zxmn6a07fta
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Corriente 5.47a Potencia (pd) 740mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 29mwh @ 10v, 6a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3420u - 7 serie dmg3420u
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 2.5a Potencia (pd) 760mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 90 MWH @ 2.5a, 10v encapsulado Sot - 23 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmg2307lq - 7 serie dmg2307lq
DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 4.6a Potencia (pd) 720mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 42mwh @ 10v, 4.3a encapsulado Sot - 23 - 3 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn4035l - 7 serie dmn4035l
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 7.2a; Resistencia de conducción P del canal de 1,9w de Potencia 23.6a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, 7a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmph6050sk3q - 13 serie dmph6050sk3q
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2a Potencia (pd) Canal de 600mw 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 150mohm @ 4,5v, 2a encapsulado Sot - 26 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2240udm - 7 serie dmp2240udm