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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
MEM2301XG

MEM2301XG-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloMEM2301XG
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.8a Potencia (pd) 700mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 110momega @ 4.5v, 2.8a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca microne Nanjing weimeng mem2301xg Series mem2301
  • PDF MEM2301XG.pdf
Consulta
MEM2302XG

MEM2302XG-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloMEM2302XG
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 850mV@250uA Resistencia de conducción n del canal de 700 MW de potencia 3a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 4,5v, marca de tubo de efecto de campo Sot - 23 encapsulado 3a (mosfet) microne Nanjing weimeng mem2302xg Series mem2302
  • PDF MEM2302XG.pdf
Consulta
MEM2310XG

MEM2310XG-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloMEM2310XG
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.4V@250uA Corriente 5.8a Potencia (pd) Canal de 1.4w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 25mwh @ 10v, 5.8a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca microne Nanjing weimeng mem2310xg Series mem2310
  • PDF MEM2310XG.pdf
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MEM2303M3G

MEM2303M3G-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloMEM2303M3G
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,4w (rds (on) @ vgs, id) 58mwh @ 10v, marca Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) encapsulada en 4.2a marca microne Nanjing weimeng mem2303m3g Series mem2303
  • PDF MEM2303M3G.pdf
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MEM2310M3G

MEM2310M3G-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloMEM2310M3G
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.4V@250uA Corriente 5.8a Potencia (pd) Canal de 1.4w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 30mwh @ 10v, 5.8a encapsulado Sot - 23 - 3 efectores de campo (mosfet) marca microne Nanjing weimeng mem23030m3g Series mem2310
  • PDF MEM2310M3G.pdf
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MEM2302M3G

MEM2302M3G-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloMEM2302M3G
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 850mV@250uA Resistencia de conducción n del canal de 700 MW de potencia 3a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 4,5v, 3a encapsulada Sot - 23 - 3 Field efector tube (mosfet) marca microne Nanjing weimeng mem2302m3g Series mem2302
  • PDF MEM2302M3G.pdf
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MEM2307XG

MEM2307XG-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloMEM2307XG
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,4w (rds (on) @ vgs, id) 88mohm @ 10v, marca Sot - 23 Field efector (mosfet) encapsulada en 4.1A marca microne Nanjing weimeng mem2307xg Series mem2307
  • PDF MEM2307XG.pdf
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MEM2307M3G

MEM2307M3G-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloMEM2307M3G
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 4.1A Potencia (pd) resistencia de conducción P del Canal 1.4w (rds (on) @ vgs, id) 88mwh @ 10v, 4.1A encapsulada Sot - 23 - 3 efectores de campo (mosfet) marca microne Nanjing weimeng mem2307m3g Series mem2307
  • PDF MEM2307M3G.pdf
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MEM2302XG-N

MEM2302XG-N-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloMEM2302XG-N
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 850mV@250uA Resistencia de conducción n del canal de 700 MW de potencia 3a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 4,5v, marca de tubo de efecto de campo Sot - 23 encapsulado 3a (mosfet) microne Nanjing weimeng mem2302xg - N serie mem2302
  • PDF MEM2302XG-N.pdf
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MEM2402K3G

MEM2402K3G-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloMEM2402K3G
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 23w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 15a @ 10v, 12a encapsulada to - 252 Field efector (mosfet) marca microne Nanjing weimeng mem2402k3g Series mem2402
  • PDF MEM2402K3G.pdf
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