Sobre nosotros Contáctanos 1986587488919865874889
Idiomas
Plataforma de servicio integral de componentes electrónicos
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Todos los productos
Casa Fabricante Productos BOM Blog Solución Sobre nosotros Contáctanos
Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMHC4035LSDQ-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 4.5a; 3.7a Potencia (pd) Canal de 1.5w 2 n y 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 45mwh @ 3.9a, 10v; 65momega @ 4.2a, 10v encapsulado so - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmhc4035lsdq - 13 serie dmhc4035lsdq
  • PDF DMHC4035LSDQ-13.pdf
Consulta
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH6005LK3Q-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 90a Potencia (pd) 2,1w; Resistencia de conducción n del canal de 100W (rds (on) @ vgs, id) 5,6mwh @ 10v, 50a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmth6005lk3q - 13 serie dmth6005lk3q
  • PDF DMTH6005LK3Q-13.pdf
Consulta
DMC3028LSD-13

DMC3028LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC3028LSD-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 6.6a; 6.8a Potencia (pd) Canal 1.8w 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 28mwh @ 6a, 10v encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmc3028lsd - 13 serie dmc3028lsd
  • PDF DMC3028LSD-13.pdf
Consulta
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG4496SSS-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de corriente 10a de Potencia (pd) 1,42w (rds (on) @ vgs, id) 21,5 MWH @ 10v, 10a encapsulada so - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg4496sss - 13 serie dmg4496sss
  • PDF DMG4496SSS-13.pdf
Consulta
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT69M8LFV-7
  • PaquetePDFN-8(3.3x3.3)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión de 60v (vgs (th) @ id) - corriente 36a; Resistencia de conducción n del canal de 2,2w de potencia 45a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 9,5 m @ vgs = 10v 13,3 m @ vgs = 4,5v encapsulado pdfn - 8 (3.3x3.3) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmt69m8lfv - 7 serie dmt69m8lfv
  • PDF DMT69M8LFV-7.pdf
Consulta
BSS138DWQ-7

BSS138DWQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS138DWQ-7
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 200ma Potencia (pd) 200MW canal 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 3,5 Omega @ 220ma, 10v encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss138dwq - 7 serie bss138dwq
  • PDF BSS138DWQ-7.pdf
Consulta
DMP3085LSS-13

DMP3085LSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3085LSS-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,3w (rds (on) @ vgs, id) 70mwh @ 5,3a, embalaje de 10v so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3085lss - 13 serie dmp3085lss
  • PDF DMP3085LSS-13.pdf
Consulta
DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP10H400SEQ-13
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 2.3a; 6a Potencia (pd) 2w; Resistencia de conducción P del canal de 13.7w (rds (on) @ vgs, id) 250m Omega @ 5a, embalaje de 10v Sot - 223 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp10h400seq - 13 serie dmp10h400seq
  • PDF DMP10H400SEQ-13.pdf
Consulta
DMP31D7L-7

DMP31D7L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP31D7L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.6V@250uA Corriente 580ma Potencia (pd) 430mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 900mwh @ 420ma, 10v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp31d7l - 7 serie dmp31d7l
  • PDF DMP31D7L-7.pdf
Consulta
DMP6023LFG-13

DMP6023LFG-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6023LFG-13
  • PaquetePowerDI-3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 7.7a (pd) 25mwh @ 5a, encapsulada en 10v con tubo de efecto de campo powerdi - 3333 - 8 (mosfet) marca diodes (midea) dmp6023lfg - 13 serie dmp6023lfg
  • PDF DMP6023LFG-13.pdf
Consulta
Total 1180 Records«Prev1... 4344454647484950...118Next»
Shenzhen Huaxin Zhengyou Electronics Co., Ltd.