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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG6898LSD-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 9.5a Potencia (pd) Canal 1.28w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 16mohm @ 9.4a, 4.5v encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmg6898lsd - 13 serie dmg6898lsd
  • PDF DMG6898LSD-13.pdf
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DMC67D8UFDBQ-7

DMC67D8UFDBQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC67D8UFDBQ-7
  • PaqueteDFN2020-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónResistencia a la presión 60v; Tensión umbral de 20v (vgs (th) @ id) 1.25V@250uA V; 2.5V@250uA Corriente 390ma; 2.9a Potencia (pd) 580 MW canal 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 4 Omega @ 500ma, 10v; 72momega @ 3.5a, 4.5v encapsulado dfn2020 - 6 Field efective Pipe (mosfet) marca diodes (meitai) DMC 67d8ufdbq - 7 serie DMC 67d8ufdbq
  • PDF DMC67D8UFDBQ-7.pdf
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DMN3028LQ-7

DMN3028LQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3028LQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.8V@250uA Corriente 6.2a Potencia (pd) 860mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 25momega @ 4a, 10v encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3028lq - 7 serie dmn3028lq
  • PDF DMN3028LQ-7.pdf
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DMP2240UW-7

DMP2240UW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2240UW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 250mw (rds (on) @ vgs, id) de corriente 1.5a Potencia (pd) 150 MWH @ 4.5v, 2a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 323 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2240uw - 7 serie dmp2240uw
  • PDF DMP2240UW-7.pdf
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DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN65D8LW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 300mw (rds (on) @ vgs, id) 3 Omega @ 10v, 115ma encapsulada Sot - 323 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn65d8lw - 7 serie dmn65d8lw
  • PDF DMN65D8LW-7.pdf
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BS107P

BS107P-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBS107P
  • PaqueteTO-92-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónResistencia a la presión tensión umbral de 200v (vgs (th) @ id) - corriente 120ma Potencia (pd) 500 MW Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 30 Omega @ 5v, 100ma encapsulado to - 92 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) serie bs107p bs107p
  • PDF BS107P.pdf
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DMN100-7-F

DMN100-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN100-7-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@1mA Corriente 1.1a Potencia (pd) 500 MW Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 240mwh @ 10v, 1a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn100 - 7 - F serie dmn100
  • PDF DMN100-7-F.pdf
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DMP2100U-7

DMP2100U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2100U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.4V@250uA Corriente 4.3a Potencia (pd) 800mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 38mwh @ 10v, 3.5a encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp2100u - 7 serie dmp2100u
  • PDF DMP2100U-7.pdf
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DMC2020USD-13

DMC2020USD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC2020USD-13
  • PaqueteSOIC-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 7.8a; 6.3a Potencia (pd) Canal 1.8w 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 20mwh @ 7a, 4.5v encapsulado soic - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmc2020usd - 13 serie dmc2020usd
  • PDF DMC2020USD-13.pdf
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ZXMP6A18KTC

ZXMP6A18KTC-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP6A18KTC
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 6.8a Potencia (pd) 2.15w canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 55mwh @ 10v, 3.5a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp6a18ktc serie zxmp6a18ktc
  • PDF ZXMP6A18KTC.pdf
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