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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
DMP6250SE-13

DMP6250SE-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6250SE-13
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 2.1a Potencia (pd) 1,8w; Resistencia de conducción P del canal de 14w (rds (on) @ vgs, id) 250mohm @ 10v, 1a encapsulada Sot - 223 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6250se - 13 serie dmp6250se
  • PDF DMP6250SE-13.pdf
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DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT10H015LSS-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3.5V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N (rds (on) @ vgs, id) de corriente 8.3a Potencia (pd) 1,2w @ 10v, 20a encapsulada so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmt10h015lss - 13 serie dmt10h015lss
  • PDF DMT10H015LSS-13.pdf
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DMP3098LSS-13

DMP3098LSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3098LSS-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 5.3a Potencia (pd) 2.5w canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 65mwh @ 10v, 5.3a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3098lss - 13 serie dmp3098lss
  • PDF DMP3098LSS-13.pdf
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DMN3731UFB4-7B

DMN3731UFB4-7B-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3731UFB4-7B
  • PaqueteX2-DFN1006-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 950mV@250uA Resistencia de conducción n del canal de 520mw (rds (on) @ vgs, id) 460mohm @ 200ma, encapsulamiento X2 - dfn1006 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3731ufb4 - 7b serie dmn3731ufb4
  • PDF DMN3731UFB4-7B.pdf
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DMTH4007LPSQ-13

DMTH4007LPSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH4007LPSQ-13
  • PaquetePowerDI5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 15,5a; 100a Potencia (pd) 150w; Resistencia de conducción n del canal de 2.7w (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 4v, 100ma encapsulada powerdi5060 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmth4007lpsq - 13 serie dmth4007lpsq
  • PDF DMTH4007LPSQ-13.pdf
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DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN62D0LFD-7
  • PaqueteX1-DFN1212-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 310ma Potencia (pd) 480mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2omega @ 4v, 100ma encapsulado X1 - dfn1212 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn62d0lfd - 7 serie dmn62d0lfd
  • PDF DMN62D0LFD-7.pdf
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DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH8012LPSQ-13
  • PaqueteTDFN-8-Power
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 80v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 72a; 10a Potencia (pd) 136w; Resistencia de conducción n del Canal 2.6w (rds (on) @ vgs, id) 17mwh @ 12a, encapsulada en 10v tdfn - 8 - power Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmth8012lpsq - 13 serie dmth8012lpsq
  • PDF DMTH8012LPSQ-13.pdf
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DMC3021LSD-13

DMC3021LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC3021LSD-13
  • PaqueteSOIC-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 8.5a; 7A Power (pd) 2.5w Channel 1 n y 1 P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 21mwh @ 7a, 10v encapsulado soic - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmc3021lsd - 13 serie dmc3021lsd
  • PDF DMC3021LSD-13.pdf
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VN10LFTA

VN10LFTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloVN10LFTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@1mA Resistencia a la conducción n del canal de 330mw (rds (on) @ vgs, id) 5omega @ 10v, 500ma encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) serie vn10lfta
  • PDF VN10LFTA.pdf
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ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMN10A08GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del Canal 2w de potencia 2a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 250mohm @ 10v, encapsulada en 3.2a Sot - 223 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn10a08gta serie zxmn10a08gta
  • PDF ZXMN10A08GTA.pdf
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