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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
DMPH4013SK3-13

DMPH4013SK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMPH4013SK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 55a (pd) 2,1w (rds (on) @ vgs, id) 15mwh @ 10a, embalaje de 10v to - 252 tubos de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmph4013sk3 - 13 serie dmph4013sk3
  • PDF DMPH4013SK3-13.pdf
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DMPH6050SSDQ-13

DMPH6050SSDQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMPH6050SSDQ-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 5.2a Potencia (pd) Canal 2w 2 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 48mwh @ 5a, 10v encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmph6050ssdq - 13 serie dmph6050ssdq
  • PDF DMPH6050SSDQ-13.pdf
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DMN2053U-7

DMN2053U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2053U-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 800mw (rds (on) @ vgs, id) 29mwh @ 10v, 6a encapsulada Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2053u - 7 serie dmn2053u
  • PDF DMN2053U-7.pdf
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ZVN4206A

ZVN4206A-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN4206A
  • PaqueteTO-92-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@1mA Resistencia de conducción n del canal de 700mw (rds (on) @ vgs, id) 1omega @ 10v, encapsulada en 1.5a con tubo de efecto de campo to - 92 - 3 (mosfet) marca diodes (meitai) zvn4206a serie zvn4206a
  • PDF ZVN4206A.pdf
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DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2004WKQ-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 200 MW de corriente 540ma (pd) resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 550momega @ 540ma, embalaje de 4,5v Sot - 323 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2004wkq - 7 serie dmn2004wkq
  • PDF DMN2004WKQ-7.pdf
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DMP45H150DHE-13

DMP45H150DHE-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP45H150DHE-13
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 450v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 250ma (pd) 13,9w (rds (on) @ vgs, id) 150 Omega @ 50ma, embalaje de 10v Sot - 223 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp45h150dhe - 13 serie dmp45h150dhe
  • PDF DMP45H150DHE-13.pdf
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ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMN6A11ZTA
  • PaqueteSOT-89-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.7a Potencia (pd) Canal de 1.5w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 120momega @ 10v, 2.5a encapsulamiento Sot - 89 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn6a11zta serie zxmn6a11zta
  • PDF ZXMN6A11ZTA.pdf
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DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN53D0LW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@100uA Corriente 360 ma Potencia (pd) 320mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 10v, 270ma encapsulado Sot - 323 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn53d0lw - 7 serie dmn53d0lw
  • PDF DMN53D0LW-7.pdf
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DMN2024U-7

DMN2024U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2024U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Resistencia de conducción n del canal de 800mw (rds (on) @ vgs, id) de corriente 6.8a @ 6.5a, encapsulada por 4.5v Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2024u - 7 Series dmn2024u
  • PDF DMN2024U-7.pdf
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DMN10H700S-7

DMN10H700S-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN10H700S-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 400 MW de corriente 700ma (pd) (rds (on) @ vgs, id) 700mohm @ 1,5a, 10v encapsulada Sot - 23 - 3 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn10h700s - 7 serie dmn10h700s
  • PDF DMN10H700S-7.pdf
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