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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
DMN3016lSS-13

DMN3016lSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3016lSS-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N (rds (on) @ vgs, id) de corriente 10.3a Potencia (pd) 1.5w @ 10v, paquete 12a so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3016lss - 13 serie dmn3016lss
  • PDF DMN3016lSS-13.pdf
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DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3414UQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Resistencia de conducción n del Canal N de 780 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 25mwh @ 4.5v, 8.2a encapsulando el tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3414uq - 7 serie dmg3414uq
  • PDF DMG3414UQ-7.pdf
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DMN3404LQ-7

DMN3404LQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3404LQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 5.8a Potencia (pd) 720mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 28momega @ 5.8a, 10v encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3404lq - 7 serie dmn3404lq
  • PDF DMN3404LQ-7.pdf
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DMP3028LFDE-7

DMP3028LFDE-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3028LFDE-7
  • PaqueteUDFN2020-6-EP
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.4V@250uA Corriente 6.8a Potencia (pd) 660mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 32mwh @ 10v, 7a encapsulado udfn2020 - 6 - EP Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3028lfde - 7 serie dmp3028lfde
  • PDF DMP3028LFDE-7.pdf
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DMP1009UFDF-7

DMP1009UFDF-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP1009UFDF-7
  • PaqueteUDFN2020-6-EP
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 15a @ 4,5v, 5a encapsulada udfn2020 - 6 - EP Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp1009 ufdf - 7 serie dmp1009 ufdf
  • PDF DMP1009UFDF-7.pdf
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DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT6009LFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 11a; 34a Potencia (pd) 2.08w; Resistencia de conducción n del Canal 19.2w (rds (on) @ vgs, id) 10mwh @ 10v, 13.5a encapsulada powerdi3333 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmt6009lfg - 7 serie dmt6009lfg
  • PDF DMT6009LFG-7.pdf
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DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT10H010LK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal 3W (rds (on) @ vgs, id) de corriente 68,8a (pd) 8,8mwh @ 10v, 13a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmt10h010lk3 - 13 serie dmt10h010lk3
  • PDF DMT10H010LK3-13.pdf
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DMP6350SQ-7

DMP6350SQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6350SQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 1.5a Potencia (pd) 720mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 350 MWH @ 900ma, 10v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6350sq - 7 serie dmp6350sq
  • PDF DMP6350SQ-7.pdf
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DMP2104LP-7

DMP2104LP-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2104LP-7
  • PaqueteX1-DFN1411-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 500mw (rds (on) @ vgs, id) de corriente 1.5a (pd) 150 MWH @ 4.5v, 900ma encapsulado X1 - dfn1411 - 3 efectores de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp2104lp - 7 serie dmp2104lp
  • PDF DMP2104LP-7.pdf
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DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN62D1SFB-7B
  • PaqueteX1-DFN1006-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.3V@250uA Corriente 410ma Potencia (pd) 470mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,4 Omega @ 40ma, embalaje de 10v X1 - dfn1006 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmn62d1sfb - 7b serie dmn62d1sfb
  • PDF DMN62D1SFB-7B.pdf
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