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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
DMN2004K-7

DMN2004K-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2004K-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 630ma Potencia (pd) 350mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 550momega @ 4,5v, 540ma encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2004k - 7 serie dmn2004k
  • PDF DMN2004K-7.pdf
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DMP4013LFG-7

DMP4013LFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4013LFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 10.3a (pd) 13 MWH @ 10v, encapsulada en 10a con tubo de efecto de campo powerdi333 - 8 (mosfet) marca diodes (midea) dmp4013lfg - 7 serie dmp4013lfg
  • PDF DMP4013LFG-7.pdf
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DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN53D0LDW-13
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 360 ma Potencia (pd) Canal 310mw 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 1,6 Omega @ 500ma, 10v encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn53d0ldw - 13 serie dmn53d0ldw
  • PDF DMN53D0LDW-13.pdf
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DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP10H4D2S-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 380ma de Potencia (pd) de 270ma (rds (on) @ vgs, id) 4,2 Omega @ 10v, 500ma encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp10h4d2s - 7 serie dmp10h4d2s
  • PDF DMP10H4D2S-7.pdf
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DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG4800LSD-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.6V@250uA Corriente 7.5a Potencia (pd) Canal 1.17w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 16mwh @ 10v, 9a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg4800lsd - 13 serie dmg4800lsd
  • PDF DMG4800LSD-13.pdf
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DMP4047SK3-13

DMP4047SK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4047SK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,6w (rds (on) @ vgs, id) 45mwh @ 10v, encapsulada en 4,4a con tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp4047sk3 - 13 serie dmp4047sk3
  • PDF DMP4047SK3-13.pdf
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ZVN3310FTA

ZVN3310FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN3310FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.4V@1mA Corriente 100 ma Potencia (pd) 330mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 10 Omega @ 10v, 500ma encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zvn3310fta serie zvn3310fta
  • PDF ZVN3310FTA.pdf
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DMP6185SE-13

DMP6185SE-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6185SE-13
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 3a (pd) 1,2w (rds (on) @ vgs, id) 150 MWH @ 10v, embalaje Sot - 223 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6185se - 13 serie dmp6185se
  • PDF DMP6185SE-13.pdf
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BS170FTA

BS170FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBS170FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@1mA Corriente 150ua Potencia (pd) 330mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 5omega @ 10v, 200ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) serie bs170fta bs170fta
  • PDF BS170FTA.pdf
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DMN6068LK3-13

DMN6068LK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6068LK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de corriente 6a Power (pd) 2.12w (rds (on) @ vgs, id) 68mwh @ 10v, 12a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6068lk3 - 13 serie dmn6068lk3
  • PDF DMN6068LK3-13.pdf
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