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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
DMN2058UW-7

DMN2058UW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2058UW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 500mw de corriente 3.5a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 42mwh @ 3a, embalaje de 10v Sot - 323 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2058uw - 7 serie dmn2058uw
  • PDF DMN2058UW-7.pdf
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DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3415UFY4Q-7
  • PaqueteDFN-3(1.5x2)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 16v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.5a Potencia (pd) 650mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 39mwh @ 4a, 4.5v encapsulado dfn - 3 (1.5x2) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3415ufy4q - 7 serie dmg3415ufy4q
  • PDF DMG3415UFY4Q-7.pdf
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DMP3125L-7

DMP3125L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3125L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 2.5a Potencia (pd) 650mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 95mwh @ 10v, 3.8a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3125l - 7 serie dmp3125l
  • PDF DMP3125L-7.pdf
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DMP6110SSD-13

DMP6110SSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6110SSD-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 3.3a Potencia (pd) Canal 1.2w 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 105mohm @ 10v, 4.5a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6110ssd - 13 serie dmp6110ssd
  • PDF DMP6110SSD-13.pdf
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DMP4015SPSQ-13

DMP4015SPSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4015SPSQ-13
  • PaquetePowerDI5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 8.5a Potencia (pd) resistencia de conducción P del Canal 1.3w (rds (on) @ vgs, id) 11mwh @ 10v, 9.8a encapsulada powerdi5060 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp4015spsq - 13 serie dmp4015spsq
  • PDF DMP4015SPSQ-13.pdf
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DMP2160UW-7

DMP2160UW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2160UW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 1.5a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 350 MW (rds (on) @ vgs, id) 100 MWH @ 4.5v, 1.5a encapsulada Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2160uw - 7 serie dmp2160uw
  • PDF DMP2160UW-7.pdf
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DMG1024UV-7

DMG1024UV-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG1024UV-7
  • PaqueteSOT-563
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.38a Potencia (pd) 530mw canal 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 450mohm @ 600ma, 4.5v encapsulado Sot - 563 efectores de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmg1024uv - 7 serie dmg1024uv
  • PDF DMG1024UV-7.pdf
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DMG3414U-7

DMG3414U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3414U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Resistencia de conducción n del Canal N de 780 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 25mwh @ 4.5v, 8.2a encapsulando el tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3414u - 7 serie dmg3414u
  • PDF DMG3414U-7.pdf
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DMP4065SQ-7

DMP4065SQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4065SQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 2.4a Potencia (pd) 720mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 80mwh @ 4.2a, 10v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp4065sq - 7 serie dmp4065sq
  • PDF DMP4065SQ-7.pdf
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ZXM61P03FTA

ZXM61P03FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXM61P03FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.1a Potencia (pd) 625 MW canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 350 MWH @ 10v, 600ma encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxm61p03fta serie zxm61p03fta
  • PDF ZXM61P03FTA.pdf
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