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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
STP15N80K5

STP15N80K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP15N80K5
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP15N80K5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)14A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)375mΩ@7A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100V反向传输电…
  • PDF STP15N80K5.pdf
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STP60NF06

STP60NF06-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP60NF06
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP60NF06封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)60A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16mΩ@10V,30A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)73nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.66nF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP60NF06.pdf
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STD5N95K3

STD5N95K3-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD5N95K3
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD5N95K3封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@2A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V输入电容(Ciss@Vds)460pF@25V工作温度-55℃~+15…
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STB15N80K5

STB15N80K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTB15N80K5
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB15N80K5封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)14A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)300mΩ@10V,7A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100v反向传输电容…
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STD120N4F6

STD120N4F6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD120N4F6
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD120N4F6封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4mΩ@40A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)65nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.85nF@25V工作温度-55℃~…
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STN4NF06L

STN4NF06L-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTN4NF06L
  • PaqueteTO-261-4
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN4NF06L封装TO-261-4类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@1.5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)2.8V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)9nC@5V输入电容(Ciss@Vds)340pF@25V工作温度-5…
  • PDF STN4NF06L.pdf
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STP16NF06L

STP16NF06L-TI(德州仪器)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP16NF06L
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteTI(德州仪器)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP16NF06L封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)16A功率(Pd)45W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ@10V,8A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@5V输入电容(Ciss@Vds)345pF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP16NF06L.pdf
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STP150N10F7

STP150N10F7-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP150N10F7
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP150N10F7封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.2mΩ@10V,55A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)117nC@10V输入电容(Ciss@Vds)8.115nF@50V工作…
  • PDF STP150N10F7.pdf
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STP40NF10

STP40NF10-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP40NF10
  • PaqueteTO-220AB-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP40NF10封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)50A功率(Pd)150W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V,25A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)62nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.18nF@25V反向传输…
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STW11NM80

STW11NM80-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW11NM80
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW11NM80封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)150W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)350mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)43.6nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.63nF@25V反向传…
  • PDF STW11NM80.pdf
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