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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
STO36N60M6

STO36N60M6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTO36N60M6
  • PaqueteTOLL
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STO36N60M6封装TOLL类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)30A功率(Pd)230W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)99mΩ@15A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.75V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)44.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.96nF@100V工作温…
  • PDF STO36N60M6.pdf
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STL26NM60N

STL26NM60N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTL26NM60N
  • PaqueteSMD
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL26NM60N封装SMD类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)2.7A；19A功率(Pd)125mW；3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.8nF@50V反…
  • PDF STL26NM60N.pdf
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STP100N8F6

STP100N8F6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP100N8F6
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP100N8F6封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)80V连续漏极电流(Id)100A功率(Pd)176W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V,50A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)100nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.955nF@25V反向传输电…
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STP20N65M5

STP20N65M5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP20N65M5
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20N65M5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)18A功率(Pd)130W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@9A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)45nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.345nF@100V反向传输…
  • PDF STP20N65M5.pdf
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STQ2HNK60ZR-AP

STQ2HNK60ZR-AP-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTQ2HNK60ZR-AP
  • PaqueteTO-92
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STQ2HNK60ZR-AP封装TO-92类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)500mA功率(Pd)3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.8Ω@1A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@10V输入电容(Ciss@Vds)280pF@25V工作温度…
  • PDF STQ2HNK60ZR-AP.pdf
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STD35NF06T4

STD35NF06T4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD35NF06T4
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD35NF06T4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)35A功率(Pd)80W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@10V,17.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STD35NF06T4.pdf
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STP2N80K5

STP2N80K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP2N80K5
  • PaqueteTO-220-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP2N80K5封装TO-220-3FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）800 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.5 欧姆 @ 1A，10V不…
  • PDF STP2N80K5.pdf
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STP55NF06

STP55NF06-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP55NF06
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP55NF06封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)50A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF@25V工作温度-55…
  • PDF STP55NF06.pdf
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STP55NF06

STP55NF06-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP55NF06
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP55NF06封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)50A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF@25V工作温度-55…
  • PDF STP55NF06.pdf
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STP80NF10

STP80NF10-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP80NF10
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80NF10封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)182nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.5nF@25V工作温度-55…
  • PDF STP80NF10.pdf
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