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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
STH240N10F7-6

STH240N10F7-6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTH240N10F7-6
  • PaqueteTO-263-6
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STH240N10F7-6封装TO-263-6类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)180A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.5mΩ@60A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)160nC@10V输入电容(Ciss@Vds)11.55nF@25…
  • PDF STH240N10F7-6.pdf
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STD4NK80ZT4

STD4NK80ZT4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD4NK80ZT4
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD4NK80ZT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)3A功率(Pd)80W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@10V,1.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)22.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)575pF@25V工作温度-5…
  • PDF STD4NK80ZT4.pdf
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STB10N95K5

STB10N95K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTB10N95K5
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB10N95K5封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)130W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)800mΩ@4A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)630pF@100V工作温度-55℃…
  • PDF STB10N95K5.pdf
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STP11N65M5

STP11N65M5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP11N65M5
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP11N65M5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)85W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)480mΩ@4.5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)644pF@100V反向传输电…
  • PDF STP11N65M5.pdf
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STL20N6F7

STL20N6F7-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTL20N6F7
  • PaqueteVDFN-8-Power
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL20N6F7封装VDFN-8-Power类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)100A功率(Pd)3W；78W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.4mΩ@10A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)25nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.6nF@25V工…
  • PDF STL20N6F7.pdf
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STD3NK80ZT4

STD3NK80ZT4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD3NK80ZT4
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NK80ZT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5Ω@1.25A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V输入电容(Ciss@Vds)485pF@25V反向传输电…
  • PDF STD3NK80ZT4.pdf
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STP20NK50Z

STP20NK50Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP20NK50Z
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20NK50Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)270mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
  • PDF STP20NK50Z.pdf
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STF5N80K5

STF5N80K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF5N80K5
  • PaqueteTO-220FP
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF5N80K5封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)20W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5Ω@10V,2A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)177pF@100V反向传输电容(…
  • PDF STF5N80K5.pdf
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STL3NM60N

STL3NM60N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTL3NM60N
  • PaquetePowerFLAT-8(3.3x3.3)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL3NM60N封装PowerFLAT-8(3.3x3.3)FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)650mA（Ta），2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最…
  • PDF STL3NM60N.pdf
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STP80NF06

STP80NF06-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP80NF06
  • PaqueteTO-220AB-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80NF06封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.85nF@25V
  • PDF STP80NF06.pdf
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