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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
STB35N65DM2

STB35N65DM2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTB35N65DM2
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB35N65DM2封装D2PAKFET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）650 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）110 毫欧 @ 14A，10V不…
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STP30NF10

STP30NF10-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP30NF10
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP30NF10封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)35A功率(Pd)115W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45Ω@10V,15A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)55nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.18nF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP30NF10.pdf
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STW3N150

STW3N150-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW3N150
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW3N150封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.5kV连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9Ω@10V,1.3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STW3N150.pdf
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STD2LN60K3STD2LN60K3

STD2LN60K3STD2LN60K3-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD2LN60K3STD2LN60K3
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD2LN60K3封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)2A功率(Pd)45W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5Ω@1A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V输入电容(Ciss@Vds)235pF@50V反向传输电容(Cr…
  • PDF STD2LN60K3STD2LN60K3.pdf
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STF24N60DM2

STF24N60DM2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF24N60DM2
  • PaqueteTO-220F-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF24N60DM2封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)18A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)200mΩ@10V,9A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
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STD11N65M5

STD11N65M5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD11N65M5
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD11N65M5封装TO-252类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)85W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)480mΩ@10V,4.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)620pF@100V
  • PDF STD11N65M5.pdf
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STP5NK100Z

STP5NK100Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP5NK100Z
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP5NK100Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1kV连续漏极电流(Id)3.5A功率(Pd)125W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.7Ω@1.75A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)59nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.154nF@25V反向传…
  • PDF STP5NK100Z.pdf
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STD5N52U

STD5N52U-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD5N52U
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD5N52U封装TO-252类型1个N沟道漏源电压(Vdss)525V连续漏极电流(Id)4.4A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5Ω@10V,2.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)16.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)529pF@25V工作温度-…
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STF15NM65N

STF15NM65N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF15NM65N
  • PaqueteTO-220F-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF15NM65N封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)380mΩ@10V,6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
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STW6N95K5

STW6N95K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW6N95K5
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW6N95K5封装TO-247-3漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1Ω@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)450pF@100V反向传输电容(Crss@Vds)1.6p…
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