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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
STN3P6F6

STN3P6F6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTN3P6F6
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN3P6F6封装SOT-223类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)3A功率(Pd)2.6W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@10V,1.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)6.4nC@10V输入电容(Ciss@Vds)340pF@48V工作温度-55…
  • PDF STN3P6F6.pdf
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STL220N6F7

STL220N6F7-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTL220N6F7
  • PaqueteDFN-8(5x6)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL220N6F7封装DFN-8(5x6)FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.4 毫欧 @ 20A，…
  • PDF STL220N6F7.pdf
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STD1NK60T4

STD1NK60T4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD1NK60T4
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD1NK60T4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)1A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.5Ω@10V,500mA阈值电压(Vgs(th)@Id)3.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V输入电容(Ciss@Vds)156pF@25V工作温度-55…
  • PDF STD1NK60T4.pdf
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STD1NK60T4

STD1NK60T4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD1NK60T4
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD1NK60T4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)1A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.5Ω@10V,500mA阈值电压(Vgs(th)@Id)3.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V输入电容(Ciss@Vds)156pF@25V工作温度-55…
  • PDF STD1NK60T4.pdf
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STN3N40K3

STN3N40K3-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTN3N40K3
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN3N40K3封装SOT-223类型1个N沟道漏源电压(Vdss)400V连续漏极电流(Id)1.8A功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.4Ω@10V,600mA阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)11nC@10V输入电容(Ciss@Vds)165pF@50V工作温度…
  • PDF STN3N40K3.pdf
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STD10N60M2

STD10N60M2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD10N60M2
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD10N60M2封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)7.5A功率(Pd)85W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)600mΩ@3A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)13.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)400pF@100V工作温度-5…
  • PDF STD10N60M2.pdf
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STP80NF70

STP80NF70-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP80NF70
  • PaqueteTO-220AB-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80NF70封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)68V连续漏极电流(Id)98A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.8mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)75nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.55nF@25V工作温度…
  • PDF STP80NF70.pdf
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STD10NM60N

STD10NM60N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD10NM60N
  • PaqueteTO-252-2(DPAK)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD10NM60N封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)10A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)550mΩ@10V,4A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V输入电容(Ciss@Vds)540pF@50V工作…
  • PDF STD10NM60N.pdf
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STL140N6F7

STL140N6F7-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTL140N6F7
  • PaquetePDFN-8(5x5.8)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL140N6F7封装PDFN-8(5x5.8)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)145A功率(Pd)4.8W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.5mΩ@10V,16A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@1mA
  • PDF STL140N6F7.pdf
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STD10NF30

STD10NF30-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD10NF30
  • PaqueteTO-252(DPAK)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD10NF30封装TO-252(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)300V连续漏极电流(Id)10A功率(Pd)103W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)330mΩ@5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)23nC@10V输入电容(Ciss@Vds)780pF@25V工作温…
  • PDF STD10NF30.pdf
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