О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
MEM2301XG

MEM2301XG-MICRONE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельMEM2301XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@4.5V,2.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2301XG серия MEM2301
  • PDF MEM2301XG.pdf
Консультация
MEM2302XG

MEM2302XG-MICRONE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельMEM2302XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 850mV@250uA ток 3A мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2302XG серия MEM2302
  • PDF MEM2302XG.pdf
Консультация
MEM2310XG

MEM2310XG-MICRONE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельMEM2310XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2310XG серия MEM2310
  • PDF MEM2310XG.pdf
Консультация
MEM2303M3G

MEM2303M3G-MICRONE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельMEM2303M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 58mΩ@10V,4.2A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2303M3G серия MEM2303
  • PDF MEM2303M3G.pdf
Консультация
MEM2310M3G

MEM2310M3G-MICRONE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельMEM2310M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2310M3G серия MEM2310
  • PDF MEM2310M3G.pdf
Консультация
MEM2302M3G

MEM2302M3G-MICRONE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельMEM2302M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 850mV@250uA ток 3A мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2302M3G серия MEM2302
  • PDF MEM2302M3G.pdf
Консультация
MEM2307XG

MEM2307XG-MICRONE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельMEM2307XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 4.1A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 88mΩ@10V,4.1A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2307XG серия MEM2307
  • PDF MEM2307XG.pdf
Консультация
MEM2307M3G

MEM2307M3G-MICRONE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельMEM2307M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 4.1A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 88mΩ@10V,4.1A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2307M3G серия MEM2307
  • PDF MEM2307M3G.pdf
Консультация
MEM2302XG-N

MEM2302XG-N-MICRONE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельMEM2302XG-N
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 850mV@250uA ток 3A мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2302XG-N серия MEM2302
  • PDF MEM2302XG-N.pdf
Консультация
MEM2402K3G

MEM2402K3G-MICRONE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельMEM2402K3G
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.2V@250uA ток 15A мощность (Pd) 23W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 36mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2402K3G серия MEM2402
  • PDF MEM2402K3G.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1234...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd