О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE6009AS

NCE6009AS-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE6009AS
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 9A мощность (Pd)  2.6W канал N сопротивление в открытом состоянии 15mΩ@10V,9A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6009AS
  • PDF NCE6009AS.pdf
Консультация
NCEP40T15AGU

NCEP40T15AGU-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP40T15AGU
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток 150A мощность (Pd)  2.6W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.2mΩ , typical@ VGS=10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T15AGU
  • PDF NCEP40T15AGU.pdf
Консультация
NCE01P05S

NCE01P05S-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE01P05S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -100V пороговое напряжение - ток -5A мощность (Pd)  3.1W канал P сопротивление в открытом состоянии 100mΩ @ VGS=-10V (Typ:85mΩ) корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01P05S
  • PDF NCE01P05S.pdf
Консультация
NCE1502R

NCE1502R-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE1502R
  • КорпусSOT-223-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение 2V@250uA ток 2A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 260mΩ@10V,1.5A корпус SOT-223-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE1502R
  • PDF NCE1502R.pdf
Консультация
NCE2312A

NCE2312A-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE2312A
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 650mV@250uA ток 5A мощность (Pd)  1.25W канал N сопротивление в открытом состоянии 17mΩ@4.5V,5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2312A
  • PDF NCE2312A.pdf
Консультация
NCE1540K

NCE1540K-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE1540K
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 40A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 45mΩ@10V,18A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE1540K
  • PDF NCE1540K.pdf
Консультация
NCE80T560F

NCE80T560F-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE80T560F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 800V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 9A мощность (Pd)  33.2W канал N сопротивление в открытом состоянии 480mΩ@10V,4A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE80T560F
  • PDF NCE80T560F.pdf
Консультация
NCE2030

NCE2030-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE2030
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 700mV@250uA ток 30A мощность (Pd)  40W канал N сопротивление в открытом состоянии 10.5mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2030
  • PDF NCE2030.pdf
Консультация
NCE0117

NCE0117-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE0117
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 17A мощность (Pd)  55W канал N сопротивление в открытом состоянии 70mΩ@10V,5A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0117
  • PDF NCE0117.pdf
Консультация
NCE40P20Q1

NCE40P20Q1-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE40P20Q1
  • КорпусDFN-8L(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -40V пороговое напряжение - ток -20A мощность (Pd)  55W канал P сопротивление в открытом состоянии 18mΩ @ VGS=-10V корпус DFN-8L(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40P20Q1
  • PDF NCE40P20Q1.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 7778798081828384...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd