О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP02525F

NCEP02525F-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP02525F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 250V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 25A мощность (Pd)  45W канал N сопротивление в открытом состоянии 60mΩ@10V,20A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02525F
  • PDF NCEP02525F.pdf
Консультация
NCE70T1K2K

NCE70T1K2K-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE70T1K2K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 700V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  41W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.1Ω@10V,2A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T1K2K
  • PDF NCE70T1K2K.pdf
Консультация
NCEP039N10M

NCEP039N10M-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP039N10M
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 135A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.65mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP039N10M
  • PDF NCEP039N10M.pdf
Консультация
NCEP068N10G

NCEP068N10G-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCEP068N10G
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 85A мощность (Pd)  105W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.1mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP068N10G
  • PDF NCEP068N10G.pdf
Консультация
NCE4606

NCE4606-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE4606
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 6.5A; 7A мощность (Pd)  2W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии 20mΩ@10V,6A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4606
  • PDF NCE4606.pdf
Консультация
NCE65TF099F

NCE65TF099F-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE65TF099F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 38A мощность (Pd)  36W канал N сопротивление в открытом состоянии 89mΩ@10V,19A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF099F
  • PDF NCE65TF099F.pdf
Консультация
NCE0240

NCE0240-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE0240
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 200V пороговое напряжение 3.2V@250uA ток 40A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 36.4mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0240
  • PDF NCE0240.pdf
Консультация
NCE2030K

NCE2030K-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE2030K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1.2V@250uA ток 30A мощность (Pd)  40W канал N сопротивление в открытом состоянии 13mΩ@4.5V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2030K
  • PDF NCE2030K.pdf
Консультация
NCE30H10G

NCE30H10G-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE30H10G
  • КорпусPDFN-8(5.1x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 100A мощность (Pd)  65W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.9mΩ (typical) @ VGS=10V корпус PDFN-8(5.1x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H10G
  • PDF NCE30H10G.pdf
Консультация
NCE40H12

NCE40H12-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE40H12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 120A мощность (Pd)  130W канал N сопротивление в открытом состоянии 4mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40H12
  • PDF NCE40H12.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 7576777879808182...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd