О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > операционный усилитель /компаратор  > ОУ с FET-входом
TL082IDR

TL082IDR-TI

  • ТипОУ с FET-входом
  • МодельTL082IDR
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительTI
  • Описание生产商TIкатегория ОУ с FET-входом 型号TL082IDR封装SOIC-8тип усилителя J-FET电路数2输出类型-压摆率13V/µsпроизведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz电流 - 输入偏置30 pA电压 - 输入补偿3 mV电流 - 供电1.4mA电流 - выход/канал 10 mA电压 - 跨度10 V电压 - 跨度30 V…
  • PDF TL082IDR.pdf
TL072CDR

TL072CDR-TI

  • ТипОУ с FET-входом
  • МодельTL072CDR
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительTI
  • Описание生产商TIкатегория ОУ с FET-входом 型号TL072CDR封装SOIC-8тип усилителя J-FET电路数2输出类型-压摆率13V/µsпроизведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz电流 - 输入偏置65 pA电压 - 输入补偿3 mV电流 - 供电1.4mA电压 - 跨度10 V电压 - 跨度30 Vрабочая температура 0°C ~ 70°…
  • PDF TL072CDR.pdf
TL072IDR

TL072IDR-TI

  • ТипОУ с FET-входом
  • МодельTL072IDR
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительTI
  • Описание生产商TIкатегория ОУ с FET-входом 型号TL072IDR封装SOIC-8тип усилителя J-FET电路数2输出类型-压摆率13V/µsпроизведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz电流 - 输入偏置65 pA电压 - 输入补偿3 mV电流 - 供电1.4mA电压 - 跨度10 V电压 - 跨度30 Vрабочая температура -40°C ~ 8…
  • PDF TL072IDR.pdf
TL082CDR

TL082CDR-TI

  • ТипОУ с FET-входом
  • МодельTL082CDR
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительTI
  • Описание生产商TIкатегория ОУ с FET-входом 型号TL082CDR封装SOIC-8тип усилителя J-FET电路数2输出类型-压摆率13V/µsпроизведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz电流 - 输入偏置30 pA电压 - 输入补偿3 mV电流 - 供电1.4mA电流 - выход/канал 10 mA电压 - 跨度10 V电压 - 跨度30 V…
  • PDF TL082CDR.pdf
TL084IDR

TL084IDR-TI

  • ТипОУ с FET-входом
  • МодельTL084IDR
  • КорпусSOIC-14
  • ПроизводительTI
  • Описание生产商TIкатегория ОУ с FET-входом 型号TL084IDR封装SOIC-14тип усилителя J-FET电路数4输出类型-压摆率13V/µsпроизведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz电流 - 输入偏置30 pA电压 - 输入补偿3 mV电流 - 供电1.4mA电流 - выход/канал 10 mA电压 - 跨度10 V电压 - 跨度30 …
  • PDF TL084IDR.pdf
TL074IDR

TL074IDR-TI

  • ТипОУ с FET-входом
  • МодельTL074IDR
  • КорпусSOIC-14
  • ПроизводительTI
  • Описание生产商TIкатегория ОУ с FET-входом 型号TL074IDR封装SOIC-14тип усилителя J-FET电路数4输出类型-压摆率13V/µsпроизведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz电流 - 输入偏置65 pA电压 - 输入补偿3 mV电流 - 供电1.4mA电压 - 跨度10 V电压 - 跨度30 Vрабочая температура -40°C ~ …
  • PDF TL074IDR.pdf
TL084CDR

TL084CDR-TI

  • ТипОУ с FET-входом
  • МодельTL084CDR
  • КорпусSOIC-14
  • ПроизводительTI
  • Описание生产商TIкатегория ОУ с FET-входом 型号TL084CDR封装SOIC-14тип усилителя J-FET电路数4输出类型-压摆率13V/µsпроизведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz电流 - 输入偏置30 pA电压 - 输入补偿3 mV电流 - 供电1.4mA电流 - выход/канал 10 mA电压 - 跨度10 V电压 - 跨度30 …
  • PDF TL084CDR.pdf
LF353DR

LF353DR-TI

  • ТипОУ с FET-входом
  • МодельLF353DR
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительTI
  • Описание生产商TIкатегория ОУ с FET-входом 型号LF353DR封装SOIC-8тип усилителя J-FET电路数2输出类型-压摆率13V/µsпроизведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz电流 - 输入偏置50 pA电压 - 输入补偿5 mV电流 - 供电3.6mA电流 - выход/канал 40 mA电压 - 跨度7 V电压 - 跨度36 V工…
  • PDF LF353DR.pdf
TL081HIDBVR

TL081HIDBVR-TI

  • ТипОУ с FET-входом
  • МодельTL081HIDBVR
  • КорпусSOT-23-5
  • ПроизводительTI
  • Описание生产商TIкатегория ОУ с FET-входом 型号TL081HIDBVR封装SOT-23-5тип усилителя J-FET电路数1输出类型推挽式压摆率20V/µsпроизведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz电流 - 输入偏置1 pA电压 - 输入补偿1 mV电流 - 供电1.4mA电压 - 跨度4.5 V电压 - 跨度40 Vрабочая температура -40°C ~ 12…
  • PDF TL081HIDBVR.pdf
TL071CDR

TL071CDR-TI

  • ТипОУ с FET-входом
  • МодельTL071CDR
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительTI
  • Описание生产商TIкатегория ОУ с FET-входом 型号TL071CDR封装SOIC-8тип усилителя J-FET电路数1输出类型-压摆率13V/µsпроизведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz电流 - 输入偏置65 pA电压 - 输入补偿3 mV电流 - 供电1.4mA电压 - 跨度10 V电压 - 跨度30 Vрабочая температура 0°C ~ 70°C
  • PDF TL071CDR.pdf
Всего записей: 189«Предыдущая1234...19Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd