关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
上传BOMBOM
全部产品
首页 品牌库 商品目录 BOM 新闻资讯 解决方案 关于我们 联系我们
首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
NCE30H15

NCE30H15-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H15
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 150A 功率(Pd)  130W 沟道 N 导通电阻 3mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H15
  • PDF NCE30H15.pdf
在线咨询
NCE30ND09S

NCE30ND09S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30ND09S
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 9A 功率(Pd)  2W 沟道 N 导通电阻 12mΩ @ VGS=10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30ND09S
  • PDF NCE30ND09S.pdf
在线咨询
NCEP015N30GU

NCEP015N30GU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP015N30GU
  • 封装规格DFN-8L(5x6)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 170A 功率(Pd)  95W 沟道 N 导通电阻 1.3mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8L(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP015N30GU
  • PDF NCEP015N30GU.pdf
在线咨询
NCE30H10AK

NCE30H10AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H10AK
  • 封装规格TO-252-2L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 100A 功率(Pd)  110W 沟道 N导通电阻 4.5mΩ @ VGS=10V (Typ:3.2mΩ) 封装 TO-252-2L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H10AK
  • PDF NCE30H10AK.pdf
在线咨询
NCEP02580

NCEP02580-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP02580
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 250V 阈值电压 - 电流 80A 功率(Pd)  300W 沟道 N导通电阻 18.5mΩ @ VGS=10V 封装  TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP02580
  • PDF NCEP02580.pdf
在线咨询
NCE70T680F

NCE70T680F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T680F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700V 阈值电压 4V@250uA 电流 7A 功率(Pd)  31.4W 沟道 N导通电阻 680mΩ@10V,3.5A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T680F
  • PDF NCE70T680F.pdf
在线咨询
NCE0117I

NCE0117I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0117I
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 1.8V@250uA 电流 17A 功率(Pd)  55W 沟道 N导通电阻 56mΩ@10V,5A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0117I
  • PDF NCE0117I.pdf
在线咨询
NCE0125AI

NCE0125AI-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0125AI
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 25A 功率(Pd)  70W 沟道 N导通电阻 36mΩ @ VGS=10V (Typ:31 mΩ) 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0125AI
  • PDF NCE0125AI.pdf
在线咨询
NCE30H14K

NCE30H14K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H14K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.6V@250uA 电流 140A 功率(Pd)  130W 沟道 N导通电阻 2.5mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H14K
  • PDF NCE30H14K.pdf
在线咨询
NCEP85T15

NCEP85T15-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP85T15
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 3.2V@250uA 电流 150A 功率(Pd)  210W 沟道 N 导通电阻 3.2mΩ@10V,75A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP85T15
  • PDF NCEP85T15.pdf
在线咨询
共1180记录«上一页1... 8687888990919293...118下一页»
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有 粤ICP备2023111934号