关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
上传BOMBOM
全部产品
首页 品牌库 商品目录 BOM 新闻资讯 解决方案 关于我们 联系我们
首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
NCE30H11BG

NCE30H11BG-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H11BG
  • 封装规格FDFN-8L(5x6)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 110A 功率(Pd)  68W 沟道 N导通电阻 2.3mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 FDFN-8L(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H11BG
  • PDF NCE30H11BG.pdf
在线咨询
NCE65TF180F

NCE65TF180F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65TF180F
  • 封装规格TO-220F
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 - 电流 21 A 功率(Pd)  33.8W 沟道 N 导通电阻 180 mΩ 封装 TO-220F 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65TF180F
  • PDF NCE65TF180F.pdf
在线咨询
NCE8205t

NCE8205t-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE8205t
  • 封装规格SOT-23-6L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 700mV@250uA 电流 5A 功率(Pd)  1.25W 沟道 2个N 导通电阻 16.5mΩ@4.5V,5A 封装 SOT-23-6L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE8205t
  • PDF NCE8205t.pdf
在线咨询
NCE70T1K2R

NCE70T1K2R-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T1K2R
  • 封装规格SOT-223-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700 V 阈值电压 - 电流 4 A 功率(Pd)  5.2W 沟道 N 导通电阻 1100 mΩ 封装 SOT-223-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T1K2R
  • PDF NCE70T1K2R.pdf
在线咨询
NCE6003

NCE6003-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6003
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2V@250uA 电流 3A 功率(Pd)  1.7W 沟道 N 导通电阻 105mΩ@10V,3A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6003
  • PDF NCE6003.pdf
在线咨询
NCE3025Q

NCE3025Q-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3025Q
  • 封装规格PDFN-8(3.1x3.2)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 25A 功率(Pd)  25W 沟道 N 导通电阻 10mΩ@10V,10A 封装 PDFN-8(3.1x3.2) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3025Q
  • PDF NCE3025Q.pdf
在线咨询
NCE30H11K

NCE30H11K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H11K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.6V@250uA 电流 110A 功率(Pd)  120W 沟道 N 导通电阻 3.2mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H11K
  • PDF NCE30H11K.pdf
在线咨询
NCEP050N85D

NCEP050N85D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP050N85D
  • 封装规格TO-263
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 - 电流 120A 功率(Pd)  160W 沟道 N 导通电阻 4.5mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V 封装 TO-263 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP050N85D
  • PDF NCEP050N85D.pdf
在线咨询
NCE65TF360F

NCE65TF360F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65TF360F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 11.5A 功率(Pd)  32.6W 沟道 N导通电阻 290mΩ@10V,7A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65TF360F
  • PDF NCE65TF360F.pdf
在线咨询
NCEP01T18

NCEP01T18-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP01T18
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 180A 功率(Pd)  300W 沟道 N 导通电阻 3.0mΩ @ VGS=10V 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP01T18
  • PDF NCEP01T18.pdf
在线咨询
共1180记录«上一页1... 8485868788899091...118下一页»
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有 粤ICP备2023111934号