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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
NCE3008XM

NCE3008XM-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3008XM
  • 封装规格SOT-89-3L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 8A 功率(Pd)  3.5W 沟道 N导通电阻 55mΩ @ VGS=2.5V 封装 SOT-89-3L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3008XM
  • PDF NCE3008XM.pdf
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NCE8290AC

NCE8290AC-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE8290AC
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 82V 阈值电压 3V@250uA 电流 90A 功率(Pd)  130W 沟道 N导通电阻 9mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE8290AC
  • PDF NCE8290AC.pdf
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NCE6990D

NCE6990D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6990D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 69V 阈值电压 2.9V@250uA 电流 90A 功率(Pd)  160W 沟道 N导通电阻 6.2mΩ@10V,30A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6990D
  • PDF NCE6990D.pdf
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NCE40H21

NCE40H21-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE40H21
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 1.8V@250uA 电流 210A 功率(Pd)  310W 沟道 N导通电阻 2.3mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40H21
  • PDF NCE40H21.pdf
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NCE4606A

NCE4606A-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4606A
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 N,6.5A-P,-7A 功率(Pd)  2W 沟道 N and P 导通电阻 N,24mΩ @ VGS=10V P,30mΩ @ VGS=-10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4606A
  • PDF NCE4606A.pdf
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NCE65T360D

NCE65T360D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T360D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 11.5A 功率(Pd)  101W 沟道 N 导通电阻 290mΩ@10V,7A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T360D
  • PDF NCE65T360D.pdf
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NCE65T1K2K

NCE65T1K2K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T1K2K
  • 封装规格TO-247
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 710V 阈值电压 - 电流 45 A 功率(Pd)  400W 沟道 N 导通电阻 62 mΩ 封装 TO-247 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65TF078T
  • PDF NCE65T1K2K.pdf
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NCE3025Q

NCE3025Q-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3025Q
  • 封装规格PDFN-8(3.1x3.2)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 25A 功率(Pd)  25W 沟道 N 导通电阻 10mΩ@10V,10A 封装 PDFN-8(3.1x3.2) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3025Q
  • PDF NCE3025Q.pdf
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NCE55P04S

NCE55P04S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE55P04S
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 55V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 4A 功率(Pd)  3W 沟道 2个P 导通电阻 82mΩ@10V,4A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE55P04S
  • PDF NCE55P04S.pdf
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NCE30ND07S

NCE30ND07S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30ND07S
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 7A 功率(Pd)  2W 沟道 N 导通电阻 23mΩ @ VGS=10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30ND07S
  • PDF NCE30ND07S.pdf
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