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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN30H4D0L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 300V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 250mA 功率(Pd) 310mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4Ω@10V,300mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN30H4D0L-7 系列 DMN30H4D0L
  • PDF DMN30H4D0L-7.pdf
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DMG3402L-7

DMG3402L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3402L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 52mΩ@10V,4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3402L-7 系列 DMG3402L
  • PDF DMG3402L-7.pdf
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DMN3023L-7

DMN3023L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3023L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA 电流 6.2A 功率(Pd) 900mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3023L-7 系列 DMN3023L
  • PDF DMN3023L-7.pdf
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DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP10H400SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 9A 功率(Pd) 42W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 240mΩ@10V,5A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP10H400SK3-13 系列 DMP10H400SK3
  • PDF DMP10H400SK3-13.pdf
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DMN2056U-7

DMN2056U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2056U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 940mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 38mΩ@4.5V,3.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2056U-7 系列 DMN2056U
  • PDF DMN2056U-7.pdf
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DMP2305U-7

DMP2305U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2305U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@4.5V,4.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2305U-7 系列 DMP2305U
  • PDF DMP2305U-7.pdf
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DMN1019USN-7

DMN1019USN-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN1019USN-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 800mV@250uA 电流 9.3A 功率(Pd) 680mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10mΩ@4V,9.7A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN1019USN-7 系列 DMN1019USN
  • PDF DMN1019USN-7.pdf
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DMP2120U-7

DMP2120U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2120U-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 800mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 62mΩ@4.5V,4.2A 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2120U-7 系列 DMP2120U
  • PDF DMP2120U-7.pdf
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DMG3415UQ-7

DMG3415UQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3415UQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 900mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 39mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3415UQ-7 系列 DMG3415UQ
  • PDF DMG3415UQ-7.pdf
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DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMHC3025LSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 6A；4.2A 功率(Pd) 1.5W 沟道 2个N和2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMHC3025LSD-13 系列 DMHC3025LSD
  • PDF DMHC3025LSD-13.pdf
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