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场效应管(MOSFET)
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DMP6350S-7-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
DMP6350S-7
封装规格
SOT-23
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 1.5A 功率(Pd) 720mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 350mΩ@10V,900mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6350S-7 系列 DMP6350S
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DMP6350S-7.pdf
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DMP4065S-7-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
DMP4065S-7
封装规格
SOT-23-3
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2.4A 功率(Pd) 720mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,3.3A 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4065S-7 系列 DMP4065S
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DMP4065S-7.pdf
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MMBF170-7-F-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
MMBF170-7-F
封装规格
SOT-23
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 500mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) MMBF170-7-F 系列 MMBF170
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MMBF170-7-F.pdf
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DMG2301L-7-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
DMG2301L-7
封装规格
SOT-23
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 1.5W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.5W 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2301L-7 系列 DMG2301L
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DMG2301L-7.pdf
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BSS84-7-F-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
BSS84-7-F
封装规格
SOT-23
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 300mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS84-7-F 系列 BSS84
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BSS84-7-F.pdf
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DMN26D0UFB4-7-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
DMN26D0UFB4-7
封装规格
DFN-3(0.6x1)
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.1V@250uA 电流 230mA 功率(Pd) 350mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA 封装 DFN-3(0.6x1) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN26D0UFB4-7 系列 DMN26D0UFB4
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DMN26D0UFB4-7.pdf
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2N7002T-7-F-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
2N7002T-7-F
封装规格
SOT-523
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 115mA 功率(Pd) 150mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-523场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002T-7-F 系列 2N7002T
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2N7002T-7-F.pdf
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BSS138DW-7-F-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
BSS138DW-7-F
封装规格
SOT-363-6
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 200mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA 封装 SOT-363-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS138DW-7-F 系列 BSS138DW
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BSS138DW-7-F.pdf
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BSS127S-7-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
BSS127S-7
封装规格
SOT-23
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 600V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4.5V@250uA 电流 50mA 功率(Pd) 610mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 160Ω@10V,16mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS127S-7 系列 BSS127S
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BSS127S-7.pdf
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2N7002W-7-F-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
2N7002W-7-F
封装规格
SOT-323
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 115mA 功率(Pd) 200mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002W-7-F 系列 2N7002W
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