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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
BSN20-7

BSN20-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSN20-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 500mA 功率(Pd) 600mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.8Ω@10V,220mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSN20-7 系列 BSN20
  • PDF BSN20-7.pdf
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DMN6075S-7

DMN6075S-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6075S-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 800mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 85mΩ@10V,3.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6075S-7 系列 DMN6075S
  • PDF DMN6075S-7.pdf
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DMN6040SSD-13

DMN6040SSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6040SSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 1.3W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@10V,4.5A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6040SSD-13 系列 DMN6040SSD
  • PDF DMN6040SSD-13.pdf
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DMN6140L-13

DMN6140L-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6140L-13
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 1.6A 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6140L-13 系列 DMN6140L
  • PDF DMN6140L-13.pdf
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DMP2035U-7

DMP2035U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2035U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3.6A 功率(Pd) 810mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2035U-7 系列 DMP2035U
  • PDF DMP2035U-7.pdf
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BSS84W-7-F

BSS84W-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS84W-7-F
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 200mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS84W-7-F 系列 BSS84W
  • PDF BSS84W-7-F.pdf
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DMN65D8L-7

DMN65D8L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN65D8L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 310mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN65D8L-7 系列 DMN65D8L
  • PDF DMN65D8L-7.pdf
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DMN10H220L-7

DMN10H220L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN10H220L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 1.4A 功率(Pd) 1.3W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 220mΩ@10V,1.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN10H220L-7 系列 DMN10H220L
  • PDF DMN10H220L-7.pdf
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DMP10H400SE-13

DMP10H400SE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP10H400SE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2.3A；6A 功率(Pd) 2W；13.7W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 250mΩ@10V,5A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP10H400SE-13 系列 DMP10H400SE
  • PDF DMP10H400SE-13.pdf
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BSS8402DW-7-F

BSS8402DW-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS8402DW-7-F
  • 封装规格SOT-363-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V；50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA；2V@1mA 电流 115mA；130mA 功率(Pd) 200mW 沟道 1个N;1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.2Ω@5V,0.05A；10Ω@5V,0.1A 封装 SOT-363-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS8402DW-7-F 系列 BSS8402DW
  • PDF BSS8402DW-7-F.pdf
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