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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor
4N65L-TA3-T

4N65L-TA3-T-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • Modelo4N65L-TA3-T
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 50w de corriente 4a Power (pd) (rds (on) @ vgs, id) 2.5omega @ 10v, encapsulado en 2.2a con tubo de efecto de campo to - 220 (mosfet) marca UTC (youshun) 4n65l - ta3 - T serie 4n65l
  • PDF 4N65L-TA3-T.pdf
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UT2305G-AE3-R

UT2305G-AE3-R-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloUT2305G-AE3-R
  • PaqueteSOT-23-3L
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Corriente 4.2a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 1.38w (rds (on) @ vgs, id) 53mwh @ 10v, 4.5a encapsulada Sot - 23 - 3l Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) ut2305g - ae3 - R serie ut2305g
  • PDF UT2305G-AE3-R.pdf
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UT2305G-AE2-R

UT2305G-AE2-R-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloUT2305G-AE2-R
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 830 MW de corriente 4.2a Power (pd) (rds (on) @ vgs, id) 65mwh @ 4.5v, 4.2a encapsulando el tubo de efecto de campo Sot - 23 - 3 (mosfet) marca UTC (youshun) ut2305g - ae2 - R serie ut2305g
  • PDF UT2305G-AE2-R.pdf
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UF630G-TN3-R

UF630G-TN3-R-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloUF630G-TN3-R
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 200v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del Canal 46w de corriente 9a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 400mohm @ 10v, 5a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca UTC (youshun) uf630g - tn3 - R serie uf630g
  • PDF UF630G-TN3-R.pdf
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4N120L-TA3-T

4N120L-TA3-T-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • Modelo4N120L-TA3-T
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónResistencia a la presión 1200v tensión umbral (vgs (th) @ id) - corriente 4a Potencia (pd) 140w Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 4,0 Omega @ vgs = 10v, id = 2.0a encapsulado to - 220 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 4n120l - ta3 - T serie 4n120l
  • PDF 4N120L-TA3-T.pdf
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UF630L-TA3-T

UF630L-TA3-T-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloUF630L-TA3-T
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 200v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del Canal 73w de corriente 9a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 400mohm @ 10v, 5a encapsulada marca de tubo de efecto de campo to - 220 (mosfet) UTC (youshun) uf630l - ta3 - T serie uf630l
  • PDF UF630L-TA3-T.pdf
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7NM65G-TN3-R

7NM65G-TN3-R-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • Modelo7NM65G-TN3-R
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 60W de corriente 7a Power (pd) (rds (on) @ vgs, id) 900mwh @ 10v, encapsulada en 3.5a con tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca UTC (youshun) 7nm65g - tn3 - R serie 7nm65g
  • PDF 7NM65G-TN3-R.pdf
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2N60L-TN3-R

2N60L-TN3-R-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • Modelo2N60L-TN3-R
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónTensión umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 44w de potencia 2a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 5omega @ 10v, 1a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca UTC (youshun) 2n60l - tn3 - R serie 2n60l
  • PDF 2N60L-TN3-R.pdf
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2N60L-TM3-T

2N60L-TM3-T-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • Modelo2N60L-TM3-T
  • PaqueteTO-251
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónTensión umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 44w de potencia 2a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 5omega @ 10v, 1a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 251 (mosfet) marca UTC (youshun) 2n60l - tm3 - T serie 2n60l
  • PDF 2N60L-TM3-T.pdf
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3N90L-TQ2-R

3N90L-TQ2-R-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • Modelo3N90L-TQ2-R
  • PaqueteTO-263
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 900 V de resistencia a la presión (vgs (th) @ id) - resistencia de conducción n del canal de 90 w de potencia 3A de corriente (pd) (rds (on) @ vgs, id) ≤ 3,5 @ vgs = 10v, id = 1,5a encapsulamiento de tubo de efecto de campo to - 263 (mosfet) marca UTC (youshun) 3n90l - tq2 - R serie 3n90l
  • PDF 3N90L-TQ2-R.pdf
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