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MEM4N60A3G

MEM4N60A3G-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloMEM4N60A3G
  • PaqueteTO-220F
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) RDS (on) = 2,3 Omega @ vgs = 10v corriente 4a Potencia (pd) 33w Canal N voltaje umbral de puerta 4,0v encapsulado "to - 220f" tubo de efecto de campo (mosfet) marca microne Nanjing weimeng mem4n60a3g serie mem4n60
  • PDF MEM4N60A3G.pdf
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MEM12N65A3G

MEM12N65A3G-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloMEM12N65A3G
  • PaqueteTO-220F
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónResistencia a la presión 650v tensión umbral (vgs (th) @ id) RDS (on) = 0,64 Omega @ vgs = 10v corriente 12a Potencia (pd) 51w Canal N tensión umbral de puerta 4,0v encapsulamiento "to - 220f" tubo de efecto de campo (mosfet) marca microne Nanjing weimeng mem12n65a3g serie mem12n65
  • PDF MEM12N65A3G.pdf
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MEM2313SG

MEM2313SG-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloMEM2313SG
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 6a Potencia (pd) Canal 1w 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 65mwh @ 10v, 6a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca microne Nanjing weimeng mem2313sg Series mem2313
  • PDF MEM2313SG.pdf
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MEM2N60A3G

MEM2N60A3G-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloMEM2N60A3G
  • PaqueteTO-220F
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónResistencia a la presión 600v voltaje (vgs (th) @ id) to - 220f corriente 2a Potencia (pd) 41w Canal N voltaje umbral de puerta vgs (th) 4.0v encapsulado to - 220f Field efector (mosfet) marca microne Nanjing weimeng men2n60a3g serie men2n60
  • PDF MEM2N60A3G.pdf
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MEM2306SG

MEM2306SG-MICRONE(南京微盟)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloMEM2306SG
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteMICRONE(南京微盟)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 5a Potencia (pd) Canal 1.3w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 23momega @ 4.5v, 6a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca microne Nanjing weimeng mem2306sg Series mem2306
  • PDF MEM2306SG.pdf
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UT3N06G-AB3-R

UT3N06G-AB3-R-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloUT3N06G-AB3-R
  • PaqueteSOT-89
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 3a Potencia (pd) 0,69 W Canal N tensión de fuente de puerta vgss ± 20 V encapsulado Sot - 89 tubo de efecto de campo (mosfet) marca UTC (youshun) ut3n06g - ab3 - R serie ut3n06
  • PDF UT3N06G-AB3-R.pdf
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UT3N06G-AE3-R

UT3N06G-AE3-R-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloUT3N06G-AE3-R
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 3a Potencia (pd) 0,35 W Canal N tensión de fuente de puerta vgss ± 20 V encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca UTC (youshun) ut3n06g - ae3 - R serie ut3n06
  • PDF UT3N06G-AE3-R.pdf
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UT2302G-AE2-R

UT2302G-AE2-R-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloUT2302G-AE2-R
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 450mV@250uA Corriente 2.4a Potencia (pd) Canal de 1.25w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 95mwh @ 2.5v, 3.1a encapsulado Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) ut2302g - ae2 - R serie ut2302
  • PDF UT2302G-AE2-R.pdf
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UT2302G-AE3-R

UT2302G-AE3-R-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloUT2302G-AE3-R
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 450mV@250uA Corriente 2.4a Potencia (pd) Canal de 1.25w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 50momega @ 4.5v, 7.2a encapsulado tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca UTC (youshun) ut2302g - ae3 - R serie ut2302
  • PDF UT2302G-AE3-R.pdf
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UT4421G-SO8-R

UT4421G-SO8-R-UTC(友顺)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloUT4421G-SO8-R
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w de corriente 6.2a Power (pd) (rds (on) @ vgs, id) 40mwh @ 10v, paquete SOP - 8 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) ut4421g - so8 - R serie ut4421
  • PDF UT4421G-SO8-R.pdf
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